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龍圖騰網恭喜陜西晶泰新能源科技有限公司申請的專利一種長循環硅碳負極材料及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119725506B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510239557.9，技術領域涉及：H01M4/36；該發明授權一種長循環硅碳負極材料及其制備方法和應用是由王文松;楊亞宏;張大鵬;王遠玲;劉書劍;姚佳岐;楊靜;鄧佳蕾設計研發完成，并于2025-03-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種長循環硅碳負極材料及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種長循環硅碳負極材料及其制備方法和應用，屬于負極材料技術領域。該方法首先對介孔碳材料進行了液相霧化鎂摻雜改性，再利用氣相沉積技術高效沉積了納米硅，并在此基礎上進行了梯度碳層包覆最終制得了長循環硅碳負極材料。所述材料為介孔型核殼結構，直徑為1~20μm，主要應用于鋰離子電池或鋰離子電容器負極領域。本發明不僅顯著提高了硅碳負極材料的循環穩定性，還通過鎂摻雜改善了導電性能，從而提升了整體電化學性能，同時制備工藝簡便易行，適合工業化生產。

本發明授權一種長循環硅碳負極材料及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種長循環硅碳負極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、改性介孔碳：將介孔碳材料放入VC混合設備中，將鎂鹽置于鎂鹽溶劑中配制鎂鹽溶液，通入鎂鹽溶液并實施霧化，然后通過攪拌將被霧化的鎂鹽溶液均勻沉積在介孔碳材料中，在高溫下干燥，得到具有鎂摻雜層的改性介孔碳；S2、硅碳內核：將S1得到的改性介孔碳材料放入CVD氣相沉積設備中，通入硅烷氣體，高溫裂解，將硅原子逐步沉積在介孔碳材料上，得到硅碳內核；S3、梯度碳包覆層：繼續向將S2的CVD氣相沉積設備中依次通入長鏈碳源氣和短鏈碳源氣進行碳包覆，降溫后得到成品硅碳負極材料；其中，長鏈碳源氣為丙烯、丙烷、正己烷中的一種或多種，短鏈碳源氣為甲烷、乙烷、乙炔、乙烯中的一種或多種上述制得的硅碳負極材料為介孔型核殼結構，包括由介孔碳材料和沉積在介孔碳材料孔道及表面的鎂摻雜層構成的改性介孔碳、沉積在該改性介孔碳孔道及表面的納米硅顆粒形成的硅碳內核以及包覆在該硅碳內核材料外層的梯度碳包覆層；該硅碳負極材料直徑為1~20μm，按質量百分比計，硅比重為30%~60%，碳比重為30%~60%，鎂摻雜層比重為1%~10%。

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