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龍圖騰網(wǎng)恭喜山東大學(xué)申請(qǐng)的專利一種高壓平面柵金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119743980B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510251506.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權(quán)一種高壓平面柵金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法是由漢多科·林納威赫;陳曦冉;崔鵬;韓吉?jiǎng)?徐現(xiàn)剛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-05向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高壓平面柵金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種高壓平面柵金屬?氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法，屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，包括第一金屬化層、第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，在第二半導(dǎo)體層上形成第一半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體區(qū)，在第二半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)形成第三半導(dǎo)體區(qū)，其上方設(shè)置有第四半導(dǎo)體區(qū)；在第二半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體層上方依次設(shè)置柵極氧化層和多晶硅柵極，柵極氧化層與第四半導(dǎo)體區(qū)相鄰無重疊；多晶硅柵極上方設(shè)置氧化物介質(zhì)層，在第四半導(dǎo)體區(qū)、第二半導(dǎo)體區(qū)和第一半導(dǎo)體區(qū)上方形成歐姆接觸區(qū)，歐姆接觸區(qū)和氧化物介質(zhì)層上方設(shè)置第二金屬化層。本發(fā)明在減少器件的導(dǎo)通溝道長(zhǎng)度的同時(shí)保持高阻斷電壓，減少柵極漏電流，削弱了氧化層隧穿效應(yīng)，提高器件可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種高壓平面柵金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高壓平面柵金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，高壓平面柵金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管從下至上依次包括第一金屬化層、第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，在第二半導(dǎo)體層上通過離子注入形成第一半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體區(qū)，第一半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體區(qū)相鄰，在第二半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)形成第三半導(dǎo)體區(qū)，第三半導(dǎo)體區(qū)上方設(shè)置有第四半導(dǎo)體區(qū)，第四半導(dǎo)體區(qū)長(zhǎng)度小于第三半導(dǎo)體區(qū)，并與第三半導(dǎo)體區(qū)連通；在第二半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體層上方依次設(shè)置柵極氧化層和多晶硅柵極，柵極氧化層與第四半導(dǎo)體區(qū)相鄰無重疊；多晶硅柵極上方設(shè)置氧化物介質(zhì)層，在第四半導(dǎo)體區(qū)、第二半導(dǎo)體區(qū)和第一半導(dǎo)體區(qū)上方形成歐姆接觸區(qū)，歐姆接觸區(qū)和氧化物介質(zhì)層上方設(shè)置第二金屬化層；第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、第三半導(dǎo)體區(qū)、第四半導(dǎo)體區(qū)為N型，第一半導(dǎo)體區(qū)、第二半導(dǎo)體區(qū)為P型；高壓平面柵金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，包括如下步驟：S1：制備由碳化硅制成的N型半導(dǎo)體襯底，形成第一半導(dǎo)體層，通過外延生長(zhǎng)在第一半導(dǎo)體層的表面形成第二半導(dǎo)體層；S2：形成掩膜后將鋁或硼離子的雜質(zhì)離子注入到第二半導(dǎo)體層的上表面，從而形成第一半導(dǎo)體區(qū)；S3：形成掩模后將鋁或硼離子的雜質(zhì)離子注入到第二半導(dǎo)體層的上表面中，從而形成第二半導(dǎo)體區(qū)；S4：形成掩模后將高濃度的氮或磷離子的雜質(zhì)離子注入到第二半導(dǎo)體區(qū)中，形成第三半導(dǎo)體區(qū)，第三半導(dǎo)體區(qū)的注入深度比第二半導(dǎo)體區(qū)更淺且長(zhǎng)度更窄，第三半導(dǎo)體區(qū)的上表面距離第二半導(dǎo)體區(qū)上表面為0.3-0.5μm；S5：通過熱氧化工藝形成柵極氧化層，在柵極氧化層之上沉積多晶硅形成多晶硅柵極，接下來通過等離子體刻蝕去除多余多晶硅至第二半導(dǎo)體層上表面；S6：利用自對(duì)準(zhǔn)工藝將高濃度的氮或磷離子的雜質(zhì)離子注入到第二半導(dǎo)體區(qū)中，形成第四半導(dǎo)體區(qū)，第四半導(dǎo)體區(qū)的長(zhǎng)度小于第三半導(dǎo)體區(qū)的長(zhǎng)度，且第四半導(dǎo)體區(qū)與第三半導(dǎo)體區(qū)上下相連；S7：沉積氧化物形成氧化物介質(zhì)，通過干法刻蝕形成歐姆接觸區(qū)，沉積一層金屬形成歐姆接觸區(qū)后形成第二金屬化層，在第一半導(dǎo)體層底部形成第一金屬化層。

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