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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114551334B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202011330966.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由郭雯;于海龍;段超;崔明設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成初始第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；平坦化所述初始第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在襯底上形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；采用第一清潔工藝對(duì)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行表面處理；對(duì)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行表面處理之后，在第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能得到提升。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底；在襯底上形成第一介質(zhì)層；在第一介質(zhì)層內(nèi)形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出襯底表面；在第一凹槽內(nèi)形成初始第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；平坦化所述初始第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在襯底上形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：位于第一凹槽側(cè)壁表面和底部表面的第一粘附層；位于第一粘附層上的第一金屬層；采用第一清潔工藝對(duì)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行表面處理；對(duì)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行表面處理之后，在第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。