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龍圖騰網恭喜國家電網有限公司;國網重慶市電力公司北碚供電分公司申請的專利電力低壓直流供電控制系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112671088B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011590240.3，技術領域涉及：H02J9/06；該發明授權電力低壓直流供電控制系統是由李超;徐溦;李傲岸;唐魁;劉人豪;謝林;陳爽設計研發完成，并于2020-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本電力低壓直流供電控制系統在說明書摘要公布了：本發明提供的一種電力低壓直流供電控制系統，所述過壓檢測電路用于檢測供電控制電路的輸入電壓且在輸入電壓過壓時向第一控制電路輸出控制信號；所述第一控制電路的控制輸出端與三極管Q2的基極連接，第一控制電路的控制輸入端連接于過壓檢測電路的控制輸出端；所述第二控制電路的控制輸出端連接于PMOS管M1的柵極，第二控制電路的第一檢測輸入端連接于第一控制電路的檢測端，所述第二控制電路的第二檢測輸入端連接于三極管Q2的集電極，所述第二控制電路根據第一檢測輸入端和第二檢測輸入端的電壓信號控制PMOS管M1的導通與關斷，所述第二控制電路的檢測輸出端con1和檢測輸出端con2均與控制器的檢測輸入端連接；所述控制器通過無線傳輸電路與監控主機通信連接。

本發明授權電力低壓直流供電控制系統在權利要求書中公布了：1.一種電力低壓直流供電控制系統，其特征在于：包括控制器、無線傳輸電路、P型的三極管Q2、PMOS管M1、二極管D1、第一控制電路、過壓檢測電路以及第二控制電路；所述三極管Q2的發射極作為供電控制電路的輸入端，三極管Q2的集電極連接于二極管D1的正極，二極管D1的負極作為供電控制電路的輸出端；PMOS管M1的源極連接于三極管Q2的發射極，PMOS管M1的漏極連接于二極管D1的負極；所述過壓檢測電路用于檢測供電控制電路的輸入電壓且在輸入電壓過壓時向第一控制電路輸出控制信號；所述第一控制電路的控制輸出端與三極管Q2的基極連接，第一控制電路的控制輸入端連接于過壓檢測電路的控制輸出端；所述第二控制電路的控制輸出端連接于PMOS管M1的柵極，第二控制電路的第一檢測輸入端連接于第一控制電路的檢測端，所述第二控制電路的第二檢測輸入端連接于三極管Q2的集電極，所述第二控制電路根據第一檢測輸入端和第二檢測輸入端的電壓信號控制PMOS管M1的導通與關斷，所述第二控制電路的檢測輸出端con1和檢測輸出端con2均與控制器的檢測輸入端連接；所述控制器通過無線傳輸電路與監控主機通信連接；所述第一控制電路包括電阻R5、電阻R6、三極管Q4、三極管Q3以及穩壓管ZD4；三極管Q3的集電極通過電阻R6與三極管Q2的發射極連接，三極管Q3的發射極接地，三極管Q3的集電極作為第一控制電路的控制輸出端連接于三極管Q2的基極，三極管Q3的基極與穩壓管ZD4的負極連接，穩壓管ZD4的正極接地，三極管Q4的集電極通過電阻R6連接于三極管Q2的發射極，三極管Q4的集電極與三極管Q3的基極連接，三極管Q4的發射極接地，三極管Q4的基極作為第一控制電路的控制輸入端連接于過壓檢測電路的控制輸出端；所述過壓檢測電路包括穩壓管ZD2、穩壓管ZD3、電阻R2、電阻R3、電阻R4、三極管Q1以及電容C2；穩壓管ZD2的負極連接于三極管Q2的發射極，穩壓管ZD2的正極通過電阻R2接地，穩壓管ZD2的正極通過電阻R3連接于三極管Q1的基極，三極管Q1的發射極通過電容C2接地，三極管Q1的集電極連接于三極管Q2的發射極，三極管Q1的發射極與電阻R4的一端連接，電阻R4的另一端作為過壓檢測電路的控制輸出端；所述第二控制電路包括穩壓管ZD5、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電阻R16、三極管Q5、三極管Q6、三極管Q7、三極管Q8、三極管Q9、三極管Q10、二極管D2、二極管D3、光耦G1、光耦G2以及電容C3；所述穩壓管ZD5的負極連接于三極管Q2的集電極，穩壓管ZD5的正極接地，電阻R14的一端作為第二控制電路的第二檢測輸入端連接于穩壓管ZD5的負極，電阻R14的另一端通過電容C3接地，電阻R14和電容C4之間的公共連接點連接于三極管Q9的基極，三極管Q9的集電極連接直流電VCC，三極管Q9的發射極連接于三極管Q7的發射極，三極管Q7的集電極通過電阻R8接地，三極管Q8的集電極通過電阻R7連接直流電VCC，三極管Q8的集電極與三極管Q7的基極連接，三極管Q8的發射極接地，三極管Q8的基極與電阻R12的一端連接，電阻R12的另一端作為第二控制電路的第一檢測輸入端連接于三極管Q4的集電極，三極管Q7的集電極通過電阻R13連接于三極管Q6的基極，三極管Q6的發射極接地，三極管Q6的集電極連接于三極管Q5的基極，三極管Q5的發射極接地，三極管Q5的集電極通過電阻R11連接于電阻R10的一端，電阻R10的另一端連接于PMOS管M1的源極，電阻R10和電阻R11的公共連接點作為第二控制電路的控制輸出端連接于PMOS管M1的柵極，三極管Q5的基極通過電阻R9連接于PMOS管M1的源極；三極管Q10的基極連接于三極管Q8的基極，三極管Q10的發射極通過電阻R15連接于PMOS管M1的源極，三極管Q10的集電極連接于電阻R13和三極管Q7的集電極之間的公共連接點；光耦G2的發光二極管的正極通過電阻R16連接于穩壓管ZD5的負極，光耦G2的發光二極管的負極接地，光耦G2的光敏三極管的集電極與二極管D3的負極連接，二極管D3的正極作為第二控制電路的檢測輸出端con1，光耦G2的光敏三極管的發射極接地；光耦G1的發光二極管的正極連接于電阻R12和三極管Q8之間的公共連接點，光耦G1的發光二極管的負極接地，光耦G1的光敏三極管的集電極與二極管D3的負極連接，二極管D3的正極作為第二控制電路的檢測輸出端con2，光耦G1的光敏三極管的發射極接地；其中，三極管Q7和三極管Q10為P型三極管。

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