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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利一種測試結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394669B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110569593.3，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權一種測試結構及其形成方法是由趙丹洋;吳軼超;張超;施維設計研發完成，并于2021-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種測試結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種測試結構及其形成方法，測試結構包括：多根金屬線，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，金屬線沿第一方向包括測試區、位于測試區一側的第一引線區、以及位于測試區另一側的第二引線區，金屬線沿第二方向包括交替間隔排布的第一金屬線和第二金屬線；隔斷層，貫穿第二引線區和測試區的交界處的第一金屬線、以及第一引線區和測試區的交界處的第二金屬線，隔斷層用于在第一方向上分割第一金屬線和第二金屬線；第一通孔互連結構，位于第一引線區中且位于第一金屬線頂部，用于為第一金屬線的測試信號加載端；第二通孔互連結構，位于第二引線區中且位于第二金屬線頂部，用于作為第二金屬線的測試信號加載端。本發明提高了測試結果的準確性。

本發明授權一種測試結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種測試結構，其特征在于，包括：多根金屬線，所述金屬線沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第二方向和第一方向垂直，所述金屬線沿所述第一方向包括測試區、位于所述測試區一側的第一引線區、以及位于所述測試區另一側的第二引線區，所述第一引線區和第二引線區均用于加載測試信號，所述金屬線沿所述第二方向包括交替間隔排布的第一金屬線和第二金屬線；介電隔斷層，貫穿所述第二引線區和測試區的交界處的第一金屬線、以及所述第一引線區和測試區的交界處的第二金屬線，位于所述第二引線區和測試區的交界處的介電隔斷層用于在所述第一方向上分割所述第一金屬線，位于所述第一引線區和測試區的交界處的介電隔斷層用于在所述第一方向上分割所述第二金屬線；第一通孔互連結構，位于所述第一引線區中且位于所述第一金屬線頂部，所述第一通孔互連結構用于作為所述第一金屬線的測試信號加載端；第二通孔互連結構，位于所述第二引線區中且位于所述第二金屬線頂部，所述第二通孔互連結構用于作為所述第二金屬線的測試信號加載端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。