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龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江睿熙科技有限公司申請的專利在晶圓級別集成的厚度檢測裝置和VCSEL單元的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115881566B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111159299.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)在晶圓級別集成的厚度檢測裝置和VCSEL單元的制備方法是由林珊珊;王立;李念宜設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-09-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本在晶圓級別集成的厚度檢測裝置和VCSEL單元的制備方法在說明書摘要公布了：公開了一種在晶圓級別集成的厚度檢測裝置和VCSEL單元的制備方法，所述在晶圓級別集成的厚度檢測裝置包括：第一電容板，其中，在所述VCSEL單元的制備過程中，該絕緣層適于被等厚地形成于所述第一電容板和所述P?DBR層上；以及，疊置于該絕緣層的第二電容板；其中，所述絕緣層的厚度適于基于所述第一電容板和所述第二電容板之間的電容值、該絕緣層的相對介電常數(shù)，以及，所述第二電容板的長度和寬度決定。所述厚度檢測裝置可降低檢測成本，并快速地檢測形成于VCSEL激光器的激光出射路徑上的絕緣層的厚度，以提高檢測效率。

本發(fā)明授權(quán)在晶圓級別集成的厚度檢測裝置和VCSEL單元的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種在晶圓級別集成的厚度檢測裝置，用于測量VCSEL單元中形成于P-DBR層上的絕緣層的厚度，其特征在于，包括：第一電容板，其中，在所述VCSEL單元的制備過程中，該絕緣層適于被等厚地形成于所述第一電容板和所述P-DBR層上；以及，疊置于該絕緣層的第二電容板；其中，所述絕緣層的厚度適于基于所述第一電容板和所述第二電容板之間的電容值、該絕緣層的相對介電常數(shù)，以及，所述第二電容板的長度和寬度決定。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江睿熙科技有限公司，其通訊地址為：311113 浙江省杭州市良渚街道通運街358號2幢101室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。