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恭喜圓周率半導體(南通)有限公司王海永獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜圓周率半導體(南通)有限公司申請的專利一種用于FCBGA的MLO的加工方法及其產品獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116230552B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310036411.5,技術領域涉及:H01L21/48;該發明授權一種用于FCBGA的MLO的加工方法及其產品是由王海永;徐琛設計研發完成,并于2023-01-09向國家知識產權局提交的專利申請。

一種用于FCBGA的MLO的加工方法及其產品在說明書摘要公布了:本發明涉及一種用于FCBGA的MLO的加工方法及其產品,包括采用如下步驟:第一次PTH、前處理、第一次壓膜、第一次曝光、第一次顯影、電鍍銅、第一次去膜、第一次閃蝕、壓ABF、鐳射、除膠、第二次PTH、第二次壓膜、第二次曝光、第二次顯影、填孔電鍍、電金、第二次去膜、第二次閃蝕,加工方法簡單。本發明加工方法簡單、合理,操作方便,通過將pad引出至外層,使線路至于次外層,以鐳射的方式將外層與次外層連通,從而減少探針誤扎線路的風險,增加探針與pad的接觸面,從而提高測試精度與成功率。

本發明授權一種用于FCBGA的MLO的加工方法及其產品在權利要求書中公布了:1.一種用于FCBGA的MLO的加工方法,其特征在于:包括如下步驟:S1、第一次PTH:先在基板1上進行PTH處理,附上一層1-3um的銅,作為第一導電層8;S2、第一次壓膜、第一次曝光、第一次顯影:在第一導電層8上通過壓膜工藝形成第一干膜層9,然后再通過曝光、顯影工藝,把需要鍍銅的位置露出來;S3、電鍍銅:在第一干膜層9上露出來的第一導電層8上再鍍上一層16-20um的第一電鍍銅層2,形成pad;S4、第一次去膜:去掉第一干膜層9;S5、第一次閃蝕:去掉第一導電層8;S6、壓ABF:在基板1上壓上一層ABF膜4;S7、鐳射、除膠:通過鐳射除去第一電鍍銅層2接觸面上的ABF膜4;S8、第二次PTH:在第一電鍍銅層2上和ABF膜4上鍍上一層第二導電層6;S9、第二次壓膜:在第二導電層6上壓上一層第二干膜層7;S10、第二次曝光、第二次顯影:通過曝光、顯影,把需要鍍銅的第一電鍍銅層2露出來;S11、填孔電鍍:在第一電鍍銅層2上鍍上一層第二電鍍銅層3;S12、電金:在第二電鍍銅層3上鍍上一層鍍金層5;S13、第二次去膜:去除第二干膜層7;S14、第二次閃蝕:去掉第二導電層6。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人圓周率半導體(南通)有限公司,其通訊地址為:226000 江蘇省南通市高新區康富路898號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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