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龍圖騰網恭喜湖南大學申請的專利一種抗輻射加固的SiC MOSFET器件結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119364804B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411535150.2，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種抗輻射加固的SiC MOSFET器件結構及制備方法是由梁世維;王俊;米盧;陳家祺設計研發完成，并于2024-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種抗輻射加固的SiC MOSFET器件結構及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種抗輻射加固的SiCMOSFET器件結構及制備方法，包括N?漂移層，所述N?漂移層的下方設有N+襯底層，所述N+襯底層的下方設有漏極金屬層，所述N?漂移層的上方設有載流子存儲層，所述載流子存儲層的上方設有源極金屬層，所述源極金屬下方的中間設有JFET區，所述JFET區內部引入溝槽，所述溝槽的內部設有P型摻雜區和填充區，所述溝槽的兩側設有P?base區，所述P?base區內設有N+源區和P+區。本發明采用上述的一種抗輻射加固的SiCMOSFET器件結構及制備方法，大幅降低薄氧中的電場強度，從而提升SiCMOSFET器件抗單粒子穿能力；僅需增加溝槽刻蝕、溝槽側壁和底部P型離子注入、溝槽回填等工藝既可，工藝復雜度不高。

本發明授權一種抗輻射加固的SiC MOSFET器件結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種抗輻射加固的SiCMOSFET器件結構，其特征在于，包括N-漂移層，所述N-漂移層的下方設有N+襯底層，所述N+襯底層的下方設有漏極金屬層，所述N-漂移層的上方設有載流子存儲層，所述載流子存儲層的上方設有源極金屬層，所述源極金屬下方的中間設有JFET區，所述JFET區內部引入溝槽，所述溝槽的兩側設有P-base區，所述P-base區內設有N+源區和P+區；所述溝槽的側壁和底部設有P型摻雜區，所述溝槽的內部設有填充區，所述P型摻雜區中設有P型雜質，所述P型摻雜區位于溝槽的側壁和底部，所述填充區填充P型多晶硅源極和N型多晶硅，所述N型多晶硅被P型多晶硅源極包圍，所述填充區位于P型摻雜區的內部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南大學，其通訊地址為：410082 湖南省長沙市岳麓區麓山南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。