恭喜阿托梅拉公司武內英樹獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜阿托梅拉公司申請的專利包括源極/漏極摻雜劑擴散阻擋超晶格以減小接觸電阻的半導體器件和相關方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113228295B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980085360.7，技術領域涉及：H10D62/60；該發明授權包括源極/漏極摻雜劑擴散阻擋超晶格以減小接觸電阻的半導體器件和相關方法是由武內英樹;D·康奈利;M·海塔;R·伯頓;R·J·米爾斯設計研發完成，并于2019-11-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括源極/漏極摻雜劑擴散阻擋超晶格以減小接觸電阻的半導體器件和相關方法在說明書摘要公布了：半導體器件100可包括半導體層101，在半導體層中的間隔開的源極和漏極區域102,103與在它們之間延伸的溝道區域130，和將源極和漏極區域中的至少一個分成下部區域104,106和上部區域105,107的至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格125，其中上部區域具有與下部區域相同的傳導率和比下部區域高的摻雜劑濃度。至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格包含多個堆疊的層組，其中每個層組包含限定了基礎半導體部分的多個堆疊的基礎半導體單層，和被約束在相鄰的基礎半導體部分的晶體晶格內的至少一個非半導體單層。半導體器件還可包括在溝道區域上的柵極109,110。
本發明授權包括源極/漏極摻雜劑擴散阻擋超晶格以減小接觸電阻的半導體器件和相關方法在權利要求書中公布了：1.半導體器件，包含：半導體層；在該半導體層中的間隔開的源極和漏極區域與在它們之間延伸的溝道區域；至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格，該至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格將源極和漏極區域中的至少一個分成下部區域和上部區域，其中該上部區域具有與該下部區域相同的傳導率和比該下部區域高的摻雜劑濃度；該至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格包含多個堆疊的層組，每個層組包含限定了基礎硅部分的多個堆疊的基礎硅單層，和被約束在相鄰的基礎硅部分的晶體晶格內的至少一個氧單層；和在該溝道區域上的柵極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人阿托梅拉公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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