恭喜長鑫存儲技術有限公司吳秉桓獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112992830B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201911213085.0,技術領域涉及:H01L23/488;該發明授權半導體結構及其制備方法是由吳秉桓設計研發完成,并于2019-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種半導體結構及其制備方法;包括:支撐層,包括焊盤區域;所述支撐層的焊盤區域內形成有若干個凹槽;焊墊,位于所述支撐層上,且至少位于所述焊盤區域內,所述焊墊部分嵌入所述凹槽內。上述半導體結構中通過在焊墊下方形成焊盤區域內具有若干個凹槽的支撐層,在焊線鍵合工藝時即使焊墊平坦且大部分焊墊在鍵合壓力的作用下會被排擠開來,但由于焊墊下方為具有凹槽的支撐層,焊線底部會部分區域陷入凹槽內,使得焊線與焊墊的接觸面為凸凹不平狀,增大焊線與焊墊的接著性,降低焊線脫落的風險。
本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構,其特征在于,包括:支撐層,包括焊盤區域;所述焊盤區域內的所述支撐層具有若干個凹槽;焊墊,位于所述支撐層上,且至少位于所述焊盤區域內,所述焊墊部分嵌入所述凹槽內;所述半導體結構還包括:基底,所述基底內具有集成電路結構;鈍化層,位于所述基底的上表面;所述支撐層位于所述鈍化層的上表面;重布線層,位于所述支撐層上,且與所述集成電路及所述焊墊相連接;種子層,位于所述支撐層與所述焊墊之間、所述重布線層與所述支撐層之間及所述重布線層與所述集成電路結構之間;保護層,位于所述支撐層的上表面,且覆蓋所述重布線層及所述焊墊;所述保護層內形成有開口,所述開口暴露出所述焊墊;焊線,一端位于所述開口內,且與所述焊墊相連接;所述開口的下部的所述保護層內具有缺口,以使得所述開口下部的寬度大于所述開口上部的寬度。
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