恭喜臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司李連杰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113257914B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010447490.5，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體器件及其制造方法是由李連杰;盧彥彬;韓峰;張帥設計研發完成，并于2020-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其制造方法。一種半導體器件包括襯底、柵極結構、漂移區域、源極區域、漏極區域和摻雜區域。柵極結構位于襯底上方。漂移區域在襯底中并位于柵極結構下方。源極區域和漏極區域位于柵極結構的相反側。漏極區域在漂移區域中，源極區域在漂移區域外。摻雜區域在漂移區域中，并位于漏極區域與柵極結構之間。摻雜區域與漏極區域的底表面間隔開。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：襯底；柵極結構，位于所述襯底上方；漂移區域，在所述襯底中并位于所述柵極結構下方；源極區域和漏極區域，位于所述柵極結構的相反側，其中，所述漏極區域在所述漂移區域中，并且所述源極區域在所述漂移區域之外；摻雜區域，在所述漂移區域中并位于所述漏極區域與所述柵極結構之間；以及口袋區域，位于所述漂移區域中并且位于所述摻雜區域下方，所述口袋區域具有與所述摻雜區域基本上相同的寬度，并且具有與所述摻雜區域不同的導電類型。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：201616 上海市松江區文翔路4000號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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