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株式會(huì)社日立高新技術(shù)長谷川英樹獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社日立高新技術(shù)申請的專利離子源、質(zhì)譜儀、離子源控制方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115104173B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202080096365.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01J49/04;該發(fā)明授權(quán)離子源、質(zhì)譜儀、離子源控制方法是由長谷川英樹;杉山益之;橋本雄一郎設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-12-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

離子源、質(zhì)譜儀、離子源控制方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明的目的在于提供一種能夠準(zhǔn)確且高效地掌握毛細(xì)管下游側(cè)的前端位置是否適當(dāng)?shù)碾x子源及其控制方法。本發(fā)明的離子源在未對毛細(xì)管導(dǎo)入試樣時(shí),測量電源對毛細(xì)管施加電壓而產(chǎn)生的電流,在上述電流處于容許范圍內(nèi)的情況下,輸出表示上述毛細(xì)管的露出量適當(dāng)?shù)囊馑嫉穆冻隽啃畔ⅲ诓惶幱谏鲜鋈菰S范圍內(nèi)的情況下,輸出表示上述突出量不適當(dāng)?shù)囊馑嫉纳鲜鐾怀隽啃畔⒄請D1。

本發(fā)明授權(quán)離子源、質(zhì)譜儀、離子源控制方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種離子源控制方法,其特征在于,是控制對試樣進(jìn)行離子化的離子源的控制方法,所述離子源具備:毛細(xì)管,其通過包含所述試樣的溶液,離子源室,其容納所述毛細(xì)管的尖端部分,電源,其對所述毛細(xì)管施加電壓,電流計(jì),其測量在未對所述毛細(xì)管導(dǎo)入所述試樣時(shí)所述電源對所述毛細(xì)管施加電壓而產(chǎn)生的電流,氣體噴霧管,其容納所述毛細(xì)管的至少一部分并噴射使所述毛細(xì)管所噴射的物質(zhì)氣化的氣體,第二驅(qū)動(dòng)部,其通過使所述氣體噴霧管移動(dòng)來調(diào)整下述突出量;所述離子源控制方法包括輸出突出量信息的步驟,所述突出量信息表示所述毛細(xì)管的前端部分相對于所述離子源室內(nèi)的空間突出的突出量是否適當(dāng),在輸出所述突出量信息的步驟中,在所述電流計(jì)測量的所述電流處于容許范圍內(nèi)的情況下,輸出表示所述突出量適當(dāng)?shù)囊馑嫉乃鐾怀隽啃畔ⅲ诓惶幱谒鋈菰S范圍內(nèi)的情況下,輸出表示所述突出量不適當(dāng)?shù)囊馑嫉乃鐾怀隽啃畔ⅲ鲭x子源控制方法還包括:在所述電流計(jì)測量的所述電流不在所述容許范圍內(nèi)的情況下,利用所述第二驅(qū)動(dòng)部來使所述氣體噴霧管移動(dòng),從而調(diào)整所述突出量的步驟,在調(diào)整了所述突出量之后,所述電流計(jì)測量的所述電流處于所述容許范圍內(nèi)的情況下,輸出表示所述突出量適當(dāng)?shù)囊馑嫉乃鐾怀隽啃畔ⅲ诓惶幱谒鋈菰S范圍內(nèi)的情況下,輸出表示所述突出量不適當(dāng)?shù)囊馑嫉乃鐾怀隽啃畔⒌牟襟E。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人株式會(huì)社日立高新技術(shù),其通訊地址為:日本東京都;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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