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龍圖騰網(wǎng)獲悉瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114744600B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110018785.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02H9/02；該發(fā)明授權(quán)去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法是由蘇宏德設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-07向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法。去耦合電容的第一端耦接電源電壓，漏電流阻擋電路則耦接于去耦合電容的第二端和接地電壓間，且其包括至少一開關(guān)。該至少一開關(guān)用來當(dāng)去耦合電容未損壞時(shí)，提供通道來讓去耦合電容耦接至接地電壓，并且當(dāng)去耦合電容損壞時(shí)，該至少一開關(guān)被關(guān)閉來阻擋去耦合電容的漏電流。

本發(fā)明授權(quán)去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種去耦合電容的漏電流阻擋電路，該去耦合電容的一第一端耦接一電源電壓，該漏電流阻擋電路則耦接于該去耦合電容的一第二端和一接地電壓間，且該漏電流阻擋電路包括：至少一開關(guān)，用來當(dāng)該去耦合電容未損壞時(shí)，提供一通道來讓該去耦合電容耦接至該接地電壓，并且當(dāng)該去耦合電容損壞時(shí)，該至少一開關(guān)被關(guān)閉來阻擋該去耦合電容的漏電流，其中該至少一開關(guān)為一第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，該第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的漏極耦接該去耦合電容的該第二端，且該第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的源極耦接該接地電壓，其中該漏電流阻擋電路還包括：一第二N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，該第二N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的漏極與該第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的該漏極通過一第一節(jié)點(diǎn)共同耦接該去耦合電容的該第二端，且該第二N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的源極與該第二N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的柵極共同耦接一第二節(jié)點(diǎn)；以及一反相器，該反相器的輸入端耦接該第二節(jié)點(diǎn)，且該反相器的輸出端耦接該第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的柵極。

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