瑞昱半導體股份有限公司蘇宏德獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉瑞昱半導體股份有限公司申請的專利去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114744600B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110018785.5，技術領域涉及：H02H9/02；該發明授權去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法是由蘇宏德設計研發完成，并于2021-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法。去耦合電容的第一端耦接電源電壓，漏電流阻擋電路則耦接于去耦合電容的第二端和接地電壓間，且其包括至少一開關。該至少一開關用來當去耦合電容未損壞時，提供通道來讓去耦合電容耦接至接地電壓，并且當去耦合電容損壞時，該至少一開關被關閉來阻擋去耦合電容的漏電流。
本發明授權去耦合電容的漏電流阻擋電路和漏電流阻擋方法在權利要求書中公布了：1.一種去耦合電容的漏電流阻擋電路，該去耦合電容的一第一端耦接一電源電壓，該漏電流阻擋電路則耦接于該去耦合電容的一第二端和一接地電壓間，且該漏電流阻擋電路包括：至少一開關，用來當該去耦合電容未損壞時，提供一通道來讓該去耦合電容耦接至該接地電壓，并且當該去耦合電容損壞時，該至少一開關被關閉來阻擋該去耦合電容的漏電流，其中該至少一開關為一第一N型金屬氧化物半導體場效晶體管，該第一N型金屬氧化物半導體場效晶體管的漏極耦接該去耦合電容的該第二端，且該第一N型金屬氧化物半導體場效晶體管的源極耦接該接地電壓，其中該漏電流阻擋電路還包括：一第二N通道空乏型金屬氧化物半導體場效晶體管，該第二N通道空乏型金屬氧化物半導體場效晶體管的漏極與該第一N型金屬氧化物半導體場效晶體管的該漏極通過一第一節點共同耦接該去耦合電容的該第二端，且該第二N通道空乏型金屬氧化物半導體場效晶體管的源極與該第二N通道空乏型金屬氧化物半導體場效晶體管的柵極共同耦接一第二節點；以及一反相器，該反相器的輸入端耦接該第二節點，且該反相器的輸出端耦接該第一N型金屬氧化物半導體場效晶體管的柵極。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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