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龍圖騰網(wǎng)恭喜量子運(yùn)動科技有限公司申請的專利量子點(diǎn)裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115298133B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202180020732.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)量子點(diǎn)裝置是由邁克爾·福加蒂;約翰·莫頓設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本量子點(diǎn)裝置在說明書摘要公布了：提供了一種用于限制電荷載流子的硅基量子裝置。該裝置包括：襯底，其具有第一平面區(qū)域137；硅層32，其形成襯底的一部分并且包括具有邊緣34和第二平面區(qū)域135的臺階33，其中第二平面區(qū)域135大體上平行于第一平面區(qū)域137并且從第一平面區(qū)域137偏移；第一電絕緣層42，其設(shè)置在硅層32上、覆蓋臺階33；第一金屬層51，其設(shè)置在第一電絕緣層42上、覆蓋臺階33、被布置成電連接，使得可以誘發(fā)第一限制區(qū)域10，可以將電荷載流子或多個(gè)電荷載流子限制在邊緣34處的第一約束區(qū)域10中；以及第二金屬層52，其設(shè)置成覆蓋硅層的第二平面區(qū)域135，其中第二金屬層：與第一金屬層51電隔離；并且被布置成電連接，使得可以誘發(fā)第二限制區(qū)域11，可以將電荷載流子或多個(gè)電荷載流子限制在第二限制區(qū)域中，第二限制區(qū)域僅在硅層32的在第二金屬層52下方的第二平面區(qū)135中，并且第一限制區(qū)域10可耦合至第二限制區(qū)域11；其中，第一限制區(qū)域10在垂直于邊緣34的方向上從第二限制區(qū)域11移位。還提供了一種組裝硅基量子裝置的方法和一種使用硅基量子裝置的方法。

本發(fā)明授權(quán)量子點(diǎn)裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于限制電荷載流子的硅基量子裝置，所述裝置包括：襯底，所述襯底具有第一平面區(qū)域；硅層，所述硅層形成所述襯底的一部分，并且所述硅層包括具有邊緣和第二平面區(qū)域的臺階，其中所述第二平面區(qū)域大體上平行于所述第一平面區(qū)域并且從所述第一平面區(qū)域偏移；第一電絕緣層，所述第一電絕緣層設(shè)置在所述硅層上、覆蓋所述臺階；第一金屬層，所述第一金屬層設(shè)置在所述第一電絕緣層上、覆蓋所述臺階、被布置為電連接，使得當(dāng)偏壓電位施加至所述第一金屬層時(shí)能誘發(fā)第一限制區(qū)域，將電荷載流子或多個(gè)電荷載流子約束在所述邊緣處的所述第一限制區(qū)域中；以及第二金屬層，所述第二金屬層被設(shè)置為覆蓋所述硅層的第二平面區(qū)域，其中所述第二金屬層是：與所述第一金屬層電隔離；以及被布置為電連接，使得當(dāng)偏壓電位施加至所述第二金屬層時(shí)能誘發(fā)第二限制區(qū)域，將電荷載流子或多個(gè)電荷載流子約束在所述第二限制區(qū)域中，所述第二限制區(qū)域僅在所述硅層的在所述第二金屬層下方的所述第二平面區(qū)域中，并且所述第一限制區(qū)域能夠耦合到所述第二限制區(qū)域；其中所述第一限制區(qū)域在垂直于所述邊緣的方向上從所述第二限制區(qū)域移位。

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