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龍圖騰網獲悉量子運動科技有限公司申請的專利量子點裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115298133B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180020732.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權量子點裝置是由邁克爾·福加蒂;約翰·莫頓設計研發完成，并于2021-03-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本量子點裝置在說明書摘要公布了：提供了一種用于限制電荷載流子的硅基量子裝置。該裝置包括：襯底，其具有第一平面區域137；硅層32，其形成襯底的一部分并且包括具有邊緣34和第二平面區域135的臺階33，其中第二平面區域135大體上平行于第一平面區域137并且從第一平面區域137偏移；第一電絕緣層42，其設置在硅層32上、覆蓋臺階33；第一金屬層51，其設置在第一電絕緣層42上、覆蓋臺階33、被布置成電連接，使得可以誘發第一限制區域10，可以將電荷載流子或多個電荷載流子限制在邊緣34處的第一約束區域10中；以及第二金屬層52，其設置成覆蓋硅層的第二平面區域135，其中第二金屬層：與第一金屬層51電隔離；并且被布置成電連接，使得可以誘發第二限制區域11，可以將電荷載流子或多個電荷載流子限制在第二限制區域中，第二限制區域僅在硅層32的在第二金屬層52下方的第二平面區135中，并且第一限制區域10可耦合至第二限制區域11；其中，第一限制區域10在垂直于邊緣34的方向上從第二限制區域11移位。還提供了一種組裝硅基量子裝置的方法和一種使用硅基量子裝置的方法。

本發明授權量子點裝置在權利要求書中公布了：1.一種用于限制電荷載流子的硅基量子裝置，所述裝置包括：襯底，所述襯底具有第一平面區域；硅層，所述硅層形成所述襯底的一部分，并且所述硅層包括具有邊緣和第二平面區域的臺階，其中所述第二平面區域大體上平行于所述第一平面區域并且從所述第一平面區域偏移；第一電絕緣層，所述第一電絕緣層設置在所述硅層上、覆蓋所述臺階；第一金屬層，所述第一金屬層設置在所述第一電絕緣層上、覆蓋所述臺階、被布置為電連接，使得當偏壓電位施加至所述第一金屬層時能誘發第一限制區域，將電荷載流子或多個電荷載流子約束在所述邊緣處的所述第一限制區域中；以及第二金屬層，所述第二金屬層被設置為覆蓋所述硅層的第二平面區域，其中所述第二金屬層是：與所述第一金屬層電隔離；以及被布置為電連接，使得當偏壓電位施加至所述第二金屬層時能誘發第二限制區域，將電荷載流子或多個電荷載流子約束在所述第二限制區域中，所述第二限制區域僅在所述硅層的在所述第二金屬層下方的所述第二平面區域中，并且所述第一限制區域能夠耦合到所述第二限制區域；其中所述第一限制區域在垂直于所述邊緣的方向上從所述第二限制區域移位。

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