恭喜福建中科光芯光電科技有限公司薛正群獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜福建中科光芯光電科技有限公司申請的專利光通信O波段硅基高速半導體激光芯片及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113054529B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110475557.0，技術領域涉及：H01S5/10；該發明授權光通信O波段硅基高速半導體激光芯片及其制造方法是由薛正群;黃惠鶯;張長平;林澤磊;方瑞禹;蘇輝設計研發完成，并于2021-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本光通信O波段硅基高速半導體激光芯片及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提出一種光通信O波段硅基高速半導體激光芯片及其制造方法，通過采用不同的緩沖層來形成InP材料低位錯密度的生長表面；在能帶結構上采用N?InAlGaAs取代常規的N?InAlAs電子阻擋層，降低電子從N型進入量子阱的勢壘，降低閾值；采用超晶格結構量子壘取代單層壘層結構改善重空穴在量子阱中的輸運；并在材料結構上進行調整，實現可靠性良好的硅襯底光通信用O波段高直調速率半導體激光芯片。
本發明授權光通信O波段硅基高速半導體激光芯片及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種光通信O波段硅基高速半導體激光芯片，其特征在于：其外延層包括在Si襯底上依次形成的：N-GaP緩沖層、N-GaAs緩沖層、N-InP緩沖層、N-InAlGaAs過渡層、InAlGaAs下波導層、InAlGaAs下分別限制層、InGaAlAs應變多量子阱和壘、InAlGaAs上分別限制層、P-InAlAs電子阻擋層、P-InP間隔層、P-InGaAsP光柵層、P-InP光柵蓋層、P-InGaAsP腐蝕停止層、P-InP空間層、P-InGaAsP過渡層、P-InGaAs電接觸層以及摻雜Fe的絕緣InP層；芯片前后出光端面解離在再生長區域，再生長區域填充有再生長形成的P-InP層、N-InGaAsP層和P-InP層；在所述InGaAlAs應變多量子阱和壘中，壘層由3層2nmInGaAlAs壘和2層2nmInGaAlAs阱超晶格結構組成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建中科光芯光電科技有限公司，其通訊地址為：362712 福建省泉州市石獅市高新區創新創業中心11#廠房1層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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