買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜新唐科技股份有限公司申請的專利接面場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114156345B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110493713.6，技術領域涉及：H10D30/83；該發明授權接面場效應晶體管是由巴提·莫尼卡;陳柏安設計研發完成，并于2021-05-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本接面場效應晶體管在說明書摘要公布了：一種接面場效應晶體管包括基底、形成于基底上的外延層、源極區域、漏極區域、柵極區域、第一內埋層以及第二內埋層?；拙哂械谝粚щ娦?，外延層具有第二導電型。源極區域、漏極區域與柵極區域分別設置于外延層的表面內。柵極區域具有第一導電型，源極區域和漏極區域具有第二導電型。第一內埋層具有第二導電型，位于柵極區域正下方的外延層與基底之間。第二內埋層具有第一導電型，位于外延層與基底之間，所述第二內埋層在外延層上的垂直投影是在柵極區域與源極區域之間且不與柵極區域重疊。本發明能夠調整與改善JFET的夾止電壓，并通過在埋入層靠近源極的一側設置與通道具有不同導電型的另一埋入層，使該處達到電荷平衡，進而增加崩潰電壓。

本發明授權接面場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.一種接面場效應晶體管，其特征在于，包括：一基底，具有第一導電型；一外延層，形成于所述基底上，具有第二導電型；一源極區域與一漏極區域，分別設置于所述外延層的表面內，所述源極區域與所述漏極區域具有所述第二導電型；一柵極區域，形成于所述源極區域與所述漏極區域之間的所述外延層的所述表面內，且所述柵極區域具有所述第一導電型；一第一內埋層，位于所述柵極區域正下方的所述外延層與所述基底之間，所述第一內埋層具有所述第二導電型；以及一第二內埋層，位于所述外延層與所述基底之間，所述第二內埋層在所述外延層上的垂直投影是在所述柵極區域與所述源極區域之間且不與所述柵極區域重疊，其中所述第二內埋層具有所述第一導電型。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新唐科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。