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龍圖騰網(wǎng)恭喜新唐科技股份有限公司申請的專利接面場效應(yīng)晶體管獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114156345B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110493713.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/83；該發(fā)明授權(quán)接面場效應(yīng)晶體管是由巴提·莫尼卡;陳柏安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-05-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本接面場效應(yīng)晶體管在說明書摘要公布了：一種接面場效應(yīng)晶體管包括基底、形成于基底上的外延層、源極區(qū)域、漏極區(qū)域、柵極區(qū)域、第一內(nèi)埋層以及第二內(nèi)埋層。基底具有第一導(dǎo)電型，外延層具有第二導(dǎo)電型。源極區(qū)域、漏極區(qū)域與柵極區(qū)域分別設(shè)置于外延層的表面內(nèi)。柵極區(qū)域具有第一導(dǎo)電型，源極區(qū)域和漏極區(qū)域具有第二導(dǎo)電型。第一內(nèi)埋層具有第二導(dǎo)電型，位于柵極區(qū)域正下方的外延層與基底之間。第二內(nèi)埋層具有第一導(dǎo)電型，位于外延層與基底之間，所述第二內(nèi)埋層在外延層上的垂直投影是在柵極區(qū)域與源極區(qū)域之間且不與柵極區(qū)域重疊。本發(fā)明能夠調(diào)整與改善JFET的夾止電壓，并通過在埋入層靠近源極的一側(cè)設(shè)置與通道具有不同導(dǎo)電型的另一埋入層，使該處達(dá)到電荷平衡，進(jìn)而增加崩潰電壓。

本發(fā)明授權(quán)接面場效應(yīng)晶體管在權(quán)利要求書中公布了：1.一種接面場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：一基底，具有第一導(dǎo)電型；一外延層，形成于所述基底上，具有第二導(dǎo)電型；一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域，分別設(shè)置于所述外延層的表面內(nèi)，所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域具有所述第二導(dǎo)電型；一柵極區(qū)域，形成于所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的所述外延層的所述表面內(nèi)，且所述柵極區(qū)域具有所述第一導(dǎo)電型；一第一內(nèi)埋層，位于所述柵極區(qū)域正下方的所述外延層與所述基底之間，所述第一內(nèi)埋層具有所述第二導(dǎo)電型；以及一第二內(nèi)埋層，位于所述外延層與所述基底之間，所述第二內(nèi)埋層在所述外延層上的垂直投影是在所述柵極區(qū)域與所述源極區(qū)域之間且不與所述柵極區(qū)域重疊，其中所述第二內(nèi)埋層具有所述第一導(dǎo)電型。

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