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龍圖騰網恭喜格科半導體(上海)有限公司申請的專利溝槽填充方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115513127B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110699512.1，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權溝槽填充方法及半導體器件是由鄒文;付文;胡杏;許樂設計研發完成，并于2021-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本溝槽填充方法及半導體器件在說明書摘要公布了：一種溝槽填充方法及半導體器件，所述方法包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底具有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽的深度大于所述第二溝槽的深度；采用化學氣相沉積工藝形成第一鎢層，所述第一鎢層填滿所述第一溝槽；采用物理氣相沉積工藝形成第二鎢層，所述第二鎢層覆蓋所述第一鎢層，且填充所述第二溝槽的一部分。本發明可以有效避免影響后續工藝中金屬鋁沉積后表面的平整度，降低鋁墊的缺陷風險以及外觀缺陷，降低后續工藝中的副產物殘留風險，提高半導體器件的品質。

本發明授權溝槽填充方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種溝槽填充方法，其特征在于，包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底具有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽的深度大于所述第二溝槽的深度；采用化學氣相沉積工藝形成第一鎢層，所述第一鎢層填滿所述第一溝槽；采用物理氣相沉積工藝形成第二鎢層，所述第二鎢層覆蓋所述第一鎢層，且填充所述第二溝槽的一部分；在采用化學氣相沉積工藝形成第一鎢層之前，還包括：提供試運行晶圓，所述試運行晶圓具有檢測第一溝槽以及檢測第二溝槽，且所述檢測第一溝槽與所述第一溝槽尺寸一致，以及所述檢測第二溝槽與所述第二溝槽尺寸一致；在所述試運行晶圓的表面，采用所述化學氣相沉積工藝形成第一檢測鎢層，所述第一檢測鎢層填滿所述第一溝槽并覆蓋所述第二溝槽的底部表面及側壁；在所述第一檢測鎢層的表面，采用所述物理氣相沉積工藝形成第二檢測鎢層；采用預設的粗糙度指示參數，對所述試運行晶圓進行檢測，其中，所述粗糙度指示參數用于指示所述第一檢測鎢層或第二檢測鎢層表面的粗糙度；如果所述粗糙度指示參數的檢測結果超出預設粗糙度指示參數閾值，則在采用化學氣相沉積工藝形成第一鎢層的過程中，進行回刻蝕處理。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格科半導體(上海)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江盛夏路560號2號樓7樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。