恭喜廈門三安光電有限公司朱秀山獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜廈門三安光電有限公司申請的專利發光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115172561B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210897979.1，技術領域涉及：H10H20/841；該發明授權發光二極管及其制備方法是由朱秀山;李燕設計研發完成，并于2021-07-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種發光二極管，包括：發光結構、透明導電層、第一絕緣層、第一電極層；第一電極層包括形成在所述第一絕緣層上和所述第一開口內，且經由所述第一開口與所述第一半導體層電性連接，所述第一電極層包括第一金屬反射層和應力調整層，在所述第一開口內所述第一金屬反射層和所述第一半導體層接觸，所述第一金屬反射層位于所述第一半導體層和所述應力調整層之間；其中，所述第一金屬反射層和所述應力調整層含有同一種金屬元素，所述同一種金屬元素在所述第一金屬反射層的含量大于所述應力調整層的含量。
本發明授權發光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，包括：發光結構，包括依次層疊的第一半導體層、有源層以及第二半導體層；第一絕緣層，覆蓋所述發光結構，包含第一開口以露出所述第一半導體層的一部分；第一電極層，包括形成在所述第一絕緣層上和所述第一開口內，且經由所述第一開口與所述第一半導體層電性連接，所述第一電極層包括第一金屬反射層和應力調整層，在所述第一開口內所述第一金屬反射層和所述第一半導體層接觸，所述第一金屬反射層位于所述第一半導體層和所述應力調整層之間；其中，所述第一金屬反射層和所述應力調整層含有同一種金屬元素，所述同一種金屬元素在所述第一金屬反射層的含量大于所述應力調整層的含量。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門三安光電有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區洪塘鎮民安大道841-899號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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