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恭喜泰科天潤半導體科技(北京)有限公司張瑜潔獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種基于金剛石的SiC PIN二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113921594B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111169988.0,技術領域涉及:H10D62/10;該發明授權一種基于金剛石的SiC PIN二極管及其制造方法是由張瑜潔;施廣彥;李佳帥;李志君;黃波設計研發完成,并于2021-10-08向國家知識產權局提交的專利申請。

一種基于金剛石的SiC PIN二極管及其制造方法在說明書摘要公布了:本發明提供了一種基于金剛石的SiCPIN二極管及其制造方法,所述二極管包括:一N型歐姆電極;一N型重摻雜半導體傳輸層,所述N型重摻雜半導體傳輸層的下側面連接至所述N型歐姆電極的上側面;一N型摻雜金剛石耐壓提高層,所述N型摻雜金剛石耐壓提高層的下側面連接至所述N型重摻雜半導體傳輸層的上側面;一N型本征層,所述N型本征層的下側面連接至所述N型摻雜金剛石耐壓提高層的上側面;一P型重摻雜半導體傳輸層,所述P型重摻雜半導體傳輸層下側面連接至所述N型本征層的上側面;及,一P型歐姆電極,所述P型歐姆電極的下側面連接至所述P型重摻雜半導體傳輸層的上側面,大大提高了二極管的耐壓耐電流能力。

本發明授權一種基于金剛石的SiC PIN二極管及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種基于金剛石的耐壓耐電流SiCPIN二極管,其特征在于:包括:一N型歐姆電極;一N型重摻雜半導體傳輸層,所述N型重摻雜半導體傳輸層的下側面連接至所述N型歐姆電極的上側面;一N型摻雜金剛石耐壓提高層,所述N型摻雜金剛石耐壓提高層的下側面連接至所述N型重摻雜半導體傳輸層的上側面;一N型本征層,所述N型本征層的下側面連接至所述N型摻雜金剛石耐壓提高層的上側面;一P型重摻雜半導體傳輸層,所述P型重摻雜半導體傳輸層下側面連接至所述N型本征層的上側面;以及,一P型歐姆電極,所述P型歐姆電極的下側面連接至所述P型重摻雜半導體傳輸層的上側面;所述N型摻雜金剛石耐壓提高層摻雜濃度為N型本征層的4倍。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人泰科天潤半導體科技(北京)有限公司,其通訊地址為:100000 北京市海淀區西小口路66號中關村東升科技園B區1號樓106A、113A、115A、117A、119A、121A;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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