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龍圖騰網恭喜意法半導體(魯塞)公司申請的專利MOS晶體管和用于檢測封閉容器的打開的應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114446954B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111216585.7，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權MOS晶體管和用于檢測封閉容器的打開的應用是由P·弗納拉設計研發完成，并于2021-10-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本MOS晶體管和用于檢測封閉容器的打開的應用在說明書摘要公布了：本公開的各實施例涉及MOS晶體管和用于檢測封閉容器的打開的應用。一種集成電路包括第一襯底。MOS晶體管具有第一多晶硅區，該第一多晶硅區與第一襯底電隔離并且包括柵極區。第二多晶硅區與第一多晶硅區和第一襯底電隔離。第二多晶硅區包括MOS晶體管的源極區、襯底區和漏極區。第一多晶硅區位于第一襯底的區域與第二多晶硅區之間。

本發明授權MOS晶體管和用于檢測封閉容器的打開的應用在權利要求書中公布了：1.一種檢測系統，包括：封閉容器；集成電路，具有第一襯底、以及第一端子和第二端子；導電導線，將所述第一端子和所述第二端子連接，并且具有可切斷部分，所述可切斷部分被布置為在打開或嘗試打開所述封閉容器的情況下被切斷，以及檢測設備，被配置為檢測所述可切斷部分的切斷；其中所述檢測設備包括在所述集成電路內的以下項：第一電容器，與所述集成電路的所述第一襯底電隔離并且被連接到所述第一端子；第一MOS晶體管，具有與所述第一襯底電隔離的源極區和漏極區、以及被連接到所述第二端子的柵極區，其中所述第一MOS晶體管被配置為響應于零電壓被施加到所述柵極區而處于導通狀態，并且響應于非零電壓被施加到所述柵極區而處于斷開狀態；第二電容器，與所述集成電路的所述第一襯底電隔離，并且具有第一電極，所述第一電極被連接到所述第一MOS晶體管的所述漏極區；以及測量電路，被配置為測量所述第一電極處的電壓，其中如果所述電壓低于閾值，則所述第一電極的所述電壓指示所述可切斷部分的目前或過去的切斷。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體(魯塞)公司，其通訊地址為：法國魯塞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。