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龍圖騰網恭喜華南理工大學申請的專利一種低溫等離子后處理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114373683B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111531363.4，技術領域涉及：H01L21/465；該發明授權一種低溫等離子后處理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法是由姚日暉;李依麟;寧洪龍;鄒文昕;郭晨瀟;吳振宇;張康平;蘇國平;楊躍鑫;彭俊彪設計研發完成，并于2021-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低溫等離子后處理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種低溫等離子后處理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法。制備方法包括如下步驟：1制備柵極、絕緣層和有源層；2在較低溫度下進行氧氣氣氛退火；3進行兩步掩膜版等離子處理，第一步采用高能氮氣等離子處理，第二步采用低能氮氣+氧氣混合氣體等離子處理；4通過直流濺射制備鋁源漏電極，得到TFT器件。本發明方法具有設備簡單、可大面積處理、處理時間短、工藝溫度低等優勢，采用兩步等離子處理方法，可以充分發揮其能量傳遞和界面反應的優化作用。低溫工藝不會對柔性襯底造成損傷，其普遍適用于柔性AOS?TFT器件的可靠性提高。

本發明授權一種低溫等離子后處理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法在權利要求書中公布了：1.一種低溫等離子后處理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步驟：1在基底上沉積金屬薄膜作為柵極，將部分金屬薄膜氧化成氧化物薄膜作為絕緣層，再采用掩模版圖案化法制備有源層；2將步驟1的有源層在100～300℃、氧氣氣氛中退火1～3小時；3采用高能氮氣等離子處理步驟2退火后的有源層背溝道；4采用低能氮氣和氧氣的混合氣體等離子處理步驟3所得有源層的背溝道；5采用掩模版圖案化法在有源層背溝道制備源漏電極，得到TFT器件；步驟4所述低能氮氣和氧氣的混合氣體等離子處理的條件為：氮氣和氧氣的流量比為1:9～1:1，功率10～50W，氣壓0.3～0.6Torr，處理時間5～20分鐘；步驟3所述高能氮氣等離子處理的條件為：功率60～100W，氣壓0.3～0.6Torr，處理時間5～30分鐘。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華南理工大學，其通訊地址為：510640 廣東省廣州市天河區五山路381號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。