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龍圖騰網恭喜普樂新能源科技(泰興)有限公司申請的專利一種硅片原位摻雜方法及電池制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115376900B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211020750.6，技術領域涉及：H01L21/223；該發明授權一種硅片原位摻雜方法及電池制備方法是由歐文凱;董思敏;向亮睿設計研發完成，并于2022-08-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅片原位摻雜方法及電池制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種硅片原位摻雜方法及電池制備方法，屬于太陽能電池技術領域。包括以下步驟：第一階段：向裝載有硅片的腔室內通入乙硅烷，在硅片背面沉積得到氫化非晶硅層；第二階段：于腔室內通入乙硅烷、和硼烷或磷烷，在氫化非晶硅層的背面分別沉積得到硼摻雜非晶硅層或磷摻雜非晶硅層；第一階段和第二階段中腔室溫度控制在450℃~500℃。本發明中LPCVD工藝使用乙硅烷替代甲硅烷為生長源，減少原位摻雜的負面影響，具有更低的生長溫度450℃?500℃，保證膜的質量，同時兼備更快的生長速率，有著更低的功耗，降低了生產成本，薄膜均勻性好，摻雜濃度可調性好，提高了電池轉化效率。

本發明授權一種硅片原位摻雜方法及電池制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅片原位摻雜方法，其特征在于，包括以下步驟：第一階段：向裝載有硅片的腔室內通入乙硅烷，在硅片背面沉積得到氫化非晶硅層；第二階段：于腔室內通入乙硅烷、和硼烷或磷烷，在氫化非晶硅層的背面分別沉積得到硼摻雜非晶硅層或磷摻雜非晶硅層；第一階段和第二階段中腔室溫度控制在475℃~500℃；第一階段中乙硅烷受熱發生氣相反應分解得到產物，產物在硅片背面沉積形成氫化非晶硅層；第二階段中乙硅烷受熱發生氣相反應分解得到產物，該產物在氫化非晶硅層的背表面上與硼烷或磷烷競爭，促進硼摻雜非晶硅層或磷摻雜非晶硅層的沉積；所述第一階段內的乙硅烷的通入方式為：管內前、后路通入乙硅烷；兩路中乙硅烷的量分別為600~700sccm、500~600sccm，每次持續通源生長1~5min，其中sccm為體積流量單位；所述第二階段內的乙硅烷和硼烷的通入方式為：管內前、后路通入預定比例的乙硅烷和硼烷混合物；兩路中乙硅烷與硼烷的量分別：乙硅烷700~800sccm、硼烷85~95sccm，乙硅烷650~750sccm、硼烷75~85sccm；每次持續通源生長10~20min，得到硼摻雜非晶硅層為30~60nm；所述第二階段內的乙硅烷和磷烷的通入方式為：管內前、后路通入預定比例的乙硅烷和磷烷混合物；兩路中乙硅烷與磷烷的量分別：乙硅烷700~800sccm、磷烷85~95sccm，乙硅烷650~750sccm、磷烷75~85sccm，每次持續通源生長10~20min，得到生長磷摻雜非晶硅層為30~60nm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人普樂新能源科技(泰興)有限公司，其通訊地址為：225400 江蘇省泰州市泰興市高新技術產業開發區科創路西側168號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。