恭喜江西兆馳半導體有限公司侯合林獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜江西兆馳半導體有限公司申請的專利發光二極管的外延結構及其制備方法、發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115498086B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211212687.6，技術領域涉及：H10H20/825；該發明授權發光二極管的外延結構及其制備方法、發光二極管是由侯合林;謝志文;張銘信;陳銘勝;金從龍設計研發完成，并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光二極管的外延結構及其制備方法、發光二極管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種發光二極管的外延結構及其制備方法、發光二極管，涉及半導體光電器件領域。發光二極管的外延結構包括襯底和依次層疊于所述襯底上的緩沖層、U?GaN層、N?GaN層、多量子阱層、P?GaN層和P型接觸層；其中，所述P?GaN層為O、Be共摻GaN層，O的摻雜濃度為5×1018?5×1019atomcm3，Be的摻雜濃度為1×1019?1×1020atomcm3。實施本發明，可提升發光二極管的發光效率。
本發明授權發光二極管的外延結構及其制備方法、發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管的外延結構，其特征在于，包括襯底和依次層疊于所述襯底上的緩沖層、U-GaN層、N-GaN層、多量子阱層、P-GaN層和P型接觸層；其中，所述P-GaN層包括依次層疊于所述多量子阱層上的第一P-GaN層和第二P-GaN層，所述第一P-GaN層為非摻雜P-GaN層或Be摻GaN層，所述第二P-GaN層為O、Be共摻GaN層；所述第一P-GaN層中Be的摻雜濃度＜所述第二P-GaN層中Be的摻雜濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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