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龍圖騰網恭喜吉林大學申請的專利一種基于二氧化硅/聚合物嵌入波導的E₁₀/E₀₁模式旋轉器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116009145B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310158820.2，技術領域涉及：G02B6/12；該發明授權一種基于二氧化硅/聚合物嵌入波導的E₁₀/E₀₁模式旋轉器及其制備方法是由梁佳琦;尹悅鑫;王春雪;楊賞賜;張大明設計研發完成，并于2023-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于二氧化硅/聚合物嵌入波導的E₁₀/E₀₁模式旋轉器及其制備方法在說明書摘要公布了：一種基于二氧化硅聚合物嵌入波導的E10E01模式旋轉器及其制備方法，屬于光子集成芯片制備技術領域。本發明所述E10E01模式旋轉器，從下至上，由Si襯底、SiO2下包層、聚合物芯層和聚合物上包層成，聚合物芯層為包埋在SiO2下包層之中的嵌入直波導結構，聚合物芯層下表面沿光的傳輸方向帶有貫通的方形凹槽。本發明通過兩次ICP刻蝕在二氧化硅層中制備凹槽，再用聚合物填充二氧化硅凹槽，得到的聚合物芯層的側壁陡直，可以降低器件損耗，提高器件性能。本發明器件具有結構緊湊、損耗低、制備工藝簡單成熟、成本低等優點，在光網絡中起到器件連接、模式轉換等作用，具有著廣闊的應用前景。

本發明授權一種基于二氧化硅/聚合物嵌入波導的E₁₀/E₀₁模式旋轉器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于二氧化硅聚合物嵌入波導的E10E01模式旋轉器，其特征在于：從下至上，由Si襯底（1）、SiO2下包層（2）、聚合物芯層（3）和聚合物上包層（7）組成，聚合物芯層（3）為包埋在SiO2下包層（2）之中的嵌入直波導結構，聚合物芯層（3）的上表面與SiO2下包層（2）的上表面位于同一平面，聚合物芯層（3）下表面沿光的傳輸方向帶有貫通的方形凹槽；聚合物上包層（7）位于聚合物芯層（3）和SiO2下包層（2）之上；聚合物芯層（3）的高度和寬度為6μm×6μm，方形凹槽的寬度w為0.5~1μm，高度d為0.5~1μm，方形凹槽距離聚合物芯層（3）邊緣的距離s為1~1.5μm，方形凹槽的長度與聚合物芯層（3）的長度L相同為半拍長。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人吉林大學，其通訊地址為：130012 吉林省長春市長春高新技術產業開發區前進大街2699號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。