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龍圖騰網恭喜無錫華潤上華科技有限公司申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118693144B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310279310.0，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權半導體器件是由何乃龍;張森;姚玉恒;劉騰設計研發完成，并于2023-03-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體器件，包括高壓器件區、低壓器件區、第一器件區及位于所述高壓器件區與低壓器件區之間的第一隔離結構，還包括第一隔離區，所述第一隔離區與所述第一隔離結構相連接，所述第一隔離區與第一隔離結構一起將所述第一器件區包圍；所述第一隔離區包括：隔離阱，具有第二導電類型，與所述第一隔離結構相連接；第二隔離結構，從所述隔離阱的頂部向下延伸貫穿所述隔離阱的底部，從而使所述第二隔離結構的深度大于所述隔離阱的深度，所述第二隔離結構包括絕緣介質。本發明可以在減小漏電流的同時兼顧器件的擊穿電壓。

本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括高壓器件區、低壓器件區、第一器件區及位于所述高壓器件區與低壓器件區之間的第一隔離結構，其特征在于，還包括第一隔離區，所述第一隔離區與所述第一隔離結構相連接，所述第一隔離區與第一隔離結構一起將所述第一器件區包圍，所述第一隔離區包括：PN結隔離結構，包括第一導電類型區和位于所述第一導電類型區的上方和下方的第二導電類型區，所述PN結隔離結構與所述第一隔離結構相連接；第二隔離結構，從所述PN結隔離結構的頂部向下延伸，所述第二隔離結構包括絕緣介質；所述半導體器件還包括：源極區，具有第一導電類型，位于所述第一隔離結構中，所述源極區為第一器件的源極區；漏極區，具有第一導電類型，位于所述第一器件區，所述漏極區為所述第一器件的漏極區；其中，所述第一器件的部分結構位于所述第一器件區、部分結構位于所述第一器件區的邊緣的第一隔離結構中，所述第一導電類型和第二導電類型為相反的導電類型。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新洲路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。