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龍圖騰網恭喜寧波大學;中國科學院寧波材料技術與工程研究所申請的專利一種非原位生長拓撲超導異質結的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118973371B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411445981.0，技術領域涉及：H10N60/01；該發明授權一種非原位生長拓撲超導異質結的方法是由李志恒;姚雄;解忍杰;曹彥偉;肖紹鑄;王宏偉設計研發完成，并于2024-10-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種非原位生長拓撲超導異質結的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種非原位生長拓撲超導異質結的方法，本發明利用分子束外延室內中的氬離子對因跨設備轉移而暴露過空氣的單晶TiN薄膜進行氬離子刻蝕，氬離子經過陽極電場的加速，與單晶TiN薄膜表面發生碰撞，從而將單晶TiN薄膜表面的雜質原子和灰塵去除，解決了跨設備原位生長需要增加高成本和導致薄膜表面污染的問題，同時，相對于高溫退火技術，本發明的刻蝕方法能夠大大降低生長時間，還能避免污染超真空視窗，以及避免影響設備使用壽命，然后在接近的單晶TiN薄膜表面在超真空下，在單晶TiN薄膜上外延生長出單晶Bi2Se3薄膜，獲得TiNBi2Se3拓撲超導異質結。

本發明授權一種非原位生長拓撲超導異質結的方法在權利要求書中公布了：1.一種非原位生長拓撲超導異質結的方法，其特征在于，包括：步驟1.以Al2O3為襯底，在Al2O3襯底上生長單晶TiN薄膜；所述單晶TiN薄膜的厚度為70nm；步驟2.將生長有單晶TiN薄膜的Al2O3襯底轉移到分子束外延室內，然后在分子束外延室內采用氬離子刻蝕技術對單晶TiN薄膜進行氬離子刻蝕，以除去單晶TiN薄膜上在轉移過程暴露過空氣產生的氧化層以及吸附在單晶TiN薄膜表面上的雜質和灰塵；具體包括：步驟201.向分子束外延室內注入氬離子氣體，使分子束外延室內真空度處于10-6mbar；步驟202.使用氬離子槍對單晶TiN薄膜進行氬離子刻蝕，所述單晶TiN薄膜經氬離子刻蝕前的粗糙度為0.514nm；對單晶TiN薄膜進行氬離子刻蝕依次包括粗刻蝕和精刻蝕，具體包括：步驟202A.采用低能電子衍射測量儀器測量單晶TiN薄膜的單晶質量；步驟202B.使用氬離子槍對單晶TiN薄膜進行粗刻蝕；包括打開氬離子槍，將氬離子槍的電壓調節至3kV，對單晶TiN薄膜進行粗刻蝕，粗刻蝕時間為3h，關閉氬離子槍；步驟202C.使用氬離子槍對單晶TiN薄膜進行精刻蝕；打開氬離子槍，將氬離子槍的電壓調節至1kV，對單晶TiN薄膜進行精刻蝕，精刻蝕時間為3h，關閉氬離子槍；步驟202D.采用低能電子衍射儀器測量測量精刻蝕后的單晶TiN薄膜的單晶質量；并通過比對氬離子刻蝕前和氬離子刻蝕后的單晶質量，以判斷是否通過氬離子刻蝕去除吸附在單晶TiN薄膜表面上的雜質和灰塵；所述單晶TiN薄膜經氬離子刻蝕后的粗糙度為0.301nm；步驟3.采用分子束外延技術，在分子束外延室內超真空狀態下，在單晶TiN薄膜上外延生長出單晶Bi2Se3薄膜，從而獲得TiNBi2Se3拓撲超導異質結。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人寧波大學;中國科學院寧波材料技術與工程研究所，其通訊地址為：315211 浙江省寧波市江北區風華路818號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。