恭喜蘇州信越半導(dǎo)體有限公司王紅真獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州信越半導(dǎo)體有限公司申請的專利控制半導(dǎo)體材料穩(wěn)定生長的方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119194602B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202411677323.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C30B25/16;該發(fā)明授權(quán)控制半導(dǎo)體材料穩(wěn)定生長的方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)是由王紅真;陳海昌設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-11-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本控制半導(dǎo)體材料穩(wěn)定生長的方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種控制半導(dǎo)體材料穩(wěn)定生長的方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì),所述方法包括:(1)結(jié)合前爐材料的X射線衍射結(jié)果、光致發(fā)光測試結(jié)果和源爐束流變化值,對材料生長過程中使用的源爐溫度進(jìn)行調(diào)整;(2)結(jié)合反射高能電子衍射圖像中特定結(jié)構(gòu)出現(xiàn)和消失的溫度點(diǎn),分別對襯底的脫氧溫度和外延層的生長溫度進(jìn)行調(diào)整;(3)結(jié)合束流測試中的V族束流差和生長過程中的生長室真空差異,對V族束流的閥位差進(jìn)行調(diào)整;其中,步驟(1)?(3)不分先后順序。本發(fā)明提供的方法通過控制生長過程中各個關(guān)鍵參數(shù)并結(jié)合相關(guān)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整,實(shí)現(xiàn)大規(guī)模半導(dǎo)體材料的穩(wěn)定生長并維持材料的一致性,簡化了工藝流程,降低了操作難度,有利于大規(guī)模推廣應(yīng)用。
本發(fā)明授權(quán)控制半導(dǎo)體材料穩(wěn)定生長的方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種控制半導(dǎo)體材料穩(wěn)定生長的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟中的任意一步或至少兩步的組合:(1)結(jié)合前爐材料的X射線衍射結(jié)果、光致發(fā)光測試結(jié)果和源爐束流變化值,對材料生長過程中使用的源爐溫度進(jìn)行調(diào)整,且所述源爐溫度的調(diào)整按照以下公式進(jìn)行:ΔTIn=A1-P1a1+ΔF1a2;ΔTAl=X1a3;上式中,ΔTIn為In源爐溫度調(diào)整值;A1為材料目標(biāo)波長,且1.68≤A1≤2.60;P1為光致發(fā)光測試波長;ΔF1為In源爐束流降低值;ΔTAl為Al源爐溫度調(diào)整值;X1為InAlAs峰與InGaAs峰的失配度;a1、a2和a3均為生長材料的波長相關(guān)值,且0.01≤a1≤0.05,0<a2≤2×10-8,100≤a3≤600;(2)結(jié)合反射高能電子衍射圖像中2×4重構(gòu)出現(xiàn)和消失的溫度點(diǎn),分別對襯底的脫氧溫度和外延層的生長溫度進(jìn)行調(diào)整,具體包括以下步驟:(2.1)在襯底升溫過程中,結(jié)合反射高能電子衍射圖像中2×4重構(gòu)出現(xiàn)的溫度點(diǎn),對襯底的脫氧溫度進(jìn)行調(diào)整;所述脫氧溫度的調(diào)整按照以下公式進(jìn)行:T1-1=AT1-Ta+Tb;上式中,T1-1為襯底的脫氧溫度;T1為反射高能電子衍射圖像中2×4重構(gòu)出現(xiàn)的溫度點(diǎn);A、Ta和Tb均為襯底材料的類型相關(guān)值,且0<A≤1,450≤Ta≤650,Ta≤Tb≤780;(2.2)在襯底降溫過程中,結(jié)合反射高能電子衍射圖像中2×4重構(gòu)消失的溫度點(diǎn),對外延層的生長溫度進(jìn)行調(diào)整;(3)結(jié)合束流測試中的V族束流差和生長過程中的生長室真空差異,對V族束流的閥位差進(jìn)行調(diào)整,且所述閥位差的調(diào)整按照以下公式進(jìn)行:ΔV=ΔG+ΔFC×100%;上式中,ΔV為V族束流的閥位差;ΔG為生長過程中的生長室真空差異;ΔF為束流測試中的V族束流差;C為常規(guī)系數(shù),且0<C≤1;其中,步驟(1)-(3)不分先后順序。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人蘇州信越半導(dǎo)體有限公司,其通訊地址為:215000 江蘇省蘇州市相城區(qū)太平街道蠡太路88號1#廠房;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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