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龍圖騰網(wǎng)恭喜安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119545819B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510101609.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制備方法是由謝柳;史田超設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體，第一電極，第二電極，以及第一鐵電材料層，和或，第二鐵電材料層。第一電極設(shè)置于半導(dǎo)體本體的第一表面，第二電極設(shè)置于半導(dǎo)體本體的第二表面，第一鐵電材料層設(shè)置于第一電極遠(yuǎn)離半導(dǎo)體本體的一側(cè)，和或，第二鐵電材料層設(shè)置于第二電極遠(yuǎn)離半導(dǎo)體本體的一側(cè)。本申請(qǐng)公開(kāi)的技術(shù)方案優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，從而提高器件的開(kāi)關(guān)速度并且降低功耗。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：半導(dǎo)體本體，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述半導(dǎo)體本體的材料包括碳化硅；第一電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體的第一表面；第二電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體的第二表面；第一鐵電材料層，設(shè)置在所述第一電極遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體本體的一側(cè)，和或，第二鐵電材料層，設(shè)置在所述第二電極遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體本體的一側(cè)；至少一個(gè)導(dǎo)通孔，位于所述第一鐵電材料層中，所述導(dǎo)通孔中設(shè)置有與所述第一電極電連接的導(dǎo)電材料，和或，位于所述第二鐵電材料層中，所述導(dǎo)通孔中設(shè)置有與所述第二電極電連接的導(dǎo)電材料。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司，其通訊地址為：241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)馬塘街道利民東路82號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。