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龍圖騰網恭喜北京智芯微電子科技有限公司申請的專利磁通門電流傳感芯片及制造方法、應用方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119643950B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510164418.4，技術領域涉及：G01R19/00；該發明授權磁通門電流傳感芯片及制造方法、應用方法是由劉紫威;李騰浩;杜君;方東明;孫恒超;臧志成;姜帥;李佩笑;王志強;王蔓蓉;李巖;周嫻姊;季潤可;陶毅設計研發完成，并于2025-02-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本磁通門電流傳感芯片及制造方法、應用方法在說明書摘要公布了：本發明涉及傳感器技術領域，提供一種磁通門電流傳感芯片及制造方法、應用方法。所述磁通門電流傳感芯片包括：第一敏感單元、第二敏感單元以及第一敏感單元與第二敏感單元之間的導體通道，每個敏感單元包括磁芯和線圈，線圈包括激勵線圈和感應線圈，激勵線圈和感應線圈纏繞在磁芯上，感應線圈纏繞的磁芯的軸作為敏感單元的敏感軸；第一敏感單元和第二敏感單元通過感應導體通道的上表面附近的磁場和下表面附近的磁場，實現對待測電流的檢測。本發明采用兩個敏感單元及之間的導體通道構成差分檢測結構，無需使用聚磁環結構，實現電流傳感器的芯片化，檢測精度高，抗干擾能力強，可實現開環閉環電流檢測，能夠滿足多種應用場景的電流檢測需求。

本發明授權磁通門電流傳感芯片及制造方法、應用方法在權利要求書中公布了：1.一種磁通門電流傳感芯片的制造方法，其特征在于，所述磁通門電流傳感芯片包括：第一敏感單元、第二敏感單元以及第一敏感單元與第二敏感單元之間的至少一個導體通道，第一敏感單元位于導體通道的上表面，第二敏感單元位于導體通道的下表面，第一敏感單元和第二敏感單元均包括磁芯和線圈，線圈包括激勵線圈和感應線圈，激勵線圈和感應線圈纏繞在磁芯上，第一敏感單元和第二敏感單元構成差分檢測結構；所述磁通門電流傳感芯片的制造方法包括：準備兩組晶圓，每一組晶圓包括兩片晶圓；對于每一組晶圓中的兩片晶圓，在第一片晶圓的一個表面刻蝕出線圈槽，在第二片晶圓的第一個表面刻蝕出磁芯槽，在第二片晶圓的第二個表面刻蝕出線圈槽；在一組晶圓中的其中一片晶圓上形成對應導體通道的半腔體結構，在另一組晶圓中的其中一片晶圓上形成對應導體通道的半腔體結構；對于每一組晶圓，將預制的磁芯放置在第二片晶圓的磁芯槽中；對于每一組晶圓，將該組晶圓中的第一片晶圓與第二片晶圓進行結合，形成纏繞在磁芯上的閉合的線圈槽；將兩組晶圓進行結合，使得兩組晶圓中的對應導體通道的半腔體結構形成為一個對應導體通道的整體腔體結構；在每一組晶圓中的閉合的線圈槽中填充線圈材料，形成纏繞在磁芯上的閉合線圈，得到作為敏感單元的兩組晶圓；在兩組晶圓之間的對應導體通道的整體腔體結構中填充導體材料，形成兩組晶圓之間的導體通道，作為敏感單元的兩組晶圓與兩組晶圓之間的導體通道構成一組磁通門電流傳感芯片。

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