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龍圖騰網恭喜微玖(蘇州)光電科技有限公司申請的專利一種解決橫向刻蝕的Micro LED像素點及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119767916B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510238558.1，技術領域涉及：H10H29/30；該發明授權一種解決橫向刻蝕的Micro LED像素點及其制備方法是由王月;黃振;余鹿鳴設計研發完成，并于2025-03-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種解決橫向刻蝕的Micro LED像素點及其制備方法在說明書摘要公布了：一種解決橫向刻蝕的MicroLED像素點的制備方法，屬于半導體器件及其加工工藝技術領域。本發明通過改變掩膜的制備方法，在刻蝕氣體Cl2BCl3的基礎上增加了Ar2與N2兩種氣體，在調整最佳比例后，SiO2與AlGaInP的刻蝕選擇比從5：1能達到15：1以上，并且刻蝕過程中不再產生橫向刻蝕問題，得到了高選擇比、側壁光滑、無任何橫向刻蝕的像素點。本發明解決了N+GaAs重摻雜層和P型GaP層在刻蝕過程中存在的嚴重橫向刻蝕問題，解決了由于存在橫向刻蝕導致后續鈍化層覆蓋不連續的問題，可以有效地改善刻蝕側壁、底部粗糙的問題，極高的增加了硬掩模的刻蝕選擇比，進而提升MicroLED的發光效率。

本發明授權一種解決橫向刻蝕的Micro LED像素點及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種解決橫向刻蝕的MicroLED像素點的制備方法，其特征在于：其步驟如下，（a）硬掩模沉積：將與Si基CMOS襯底共晶鍵合后的AlGaInP基器件分別使用丙酮、異丙醇、去離子水超聲清洗10~20min，再吹干表面水分；然后在AlGaInP基器件N+GaAs重摻雜層的表面沉積50~700nm厚度的SiO2薄膜；（b）曝光：在SiO2薄膜表面旋涂正性光刻膠，固化后進行紫外掩膜曝光，光刻膠掩膜版的形狀與需要制備的MicroLED像素點的形狀相同；曝光后將AlGaInP基器件放置在顯影液中浸泡一段時間后取出，再放入盛有去離子水的容器中進行沖水，曝光的正性光刻膠被去除，沖水過程結束將AlGaInP基器件吹干；（c）后烘：將吹干后的AlGaInP基器件在80~180℃下后烘10~15min，使未曝光的正性光刻膠回流成梯形后冷卻至室溫，此時光刻膠側壁光滑；（d）SiO2刻蝕；以冷卻后的光刻膠為掩膜刻蝕SiO2薄膜，刻蝕后得到圖形化的SiO2硬掩模；（e）去除光刻膠：依次使用去膠液和去離子水超聲清洗15~30min和8~15min，去除圖形化的SiO2硬掩模上的光刻膠，然后吹干AlGaInP基器件表面的水分；此時AlGaInP基器件表面無光刻膠覆蓋，僅有圖形化的SiO2硬掩模；（f）像素點刻蝕：以圖形化的SiO2硬掩模為掩膜刻蝕5~15min后在鍵合金屬層上得到MicroLED像素點，從下至上MicroLED像素點由P型GaP層、P型AlGaInP層、MQWs量子阱層、N型AlGaInP層和N+GaAs重摻雜層組成；使用的刻蝕氣體為Cl2、BCl3、Ar2和N2，Cl2的流量為40~60sccm，BCl3流量為40~60sccm，Ar流量為15~30sccm，N2流量為5~10sccm，并且Ar流量與N2流量的比例為2.5~3.5：1。

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