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龍圖騰網恭喜蘇州匯科技術股份有限公司申請的專利一種半導體真空回收循環燒結爐獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119826531B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510302929.8，技術領域涉及：F27B9/04；該發明授權一種半導體真空回收循環燒結爐是由董安偉;曹志軍設計研發完成，并于2025-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體真空回收循環燒結爐在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體燒結爐技術領域，公開了一種半導體真空回收循環燒結爐。本發明在燒結盤的自重以及對應的各個填充框架的作用下，各個填充框架能夠帶動對應的各個燒結盤在燒結腔內部升降，將位于中間位置的燒結盤定位在燒結腔的中央位置，從而能夠將各個燒結盤相對均衡地處于靠近燒結腔中部的溫度均勻的位置，進而能夠保證各個燒結盤的燒結環境相對恒定，最終有效地提高半導體原料的燒結效果；通過控制燒結腔內部的溫度以及燒結腔內部的氣壓和氣氛環境，適時調整燒結腔內部的氣體循環和壓力條件，從而能夠有效匹配和適應半導體的燒結過程，以有效保證半導體產品燒結的品質。

本發明授權一種半導體真空回收循環燒結爐在權利要求書中公布了：1.一種半導體真空回收循環燒結爐，包括保護爐體，其特征在于，所述保護爐體內部中央設置有燒結腔，所述保護爐體正面并且位于所述燒結腔外側設置有密封爐門，所述保護爐體內部并且位于所述燒結腔外側依次設置有導熱筒體、加熱腔和保溫筒體；所述燒結腔內部設置有燒結定位支架，所述燒結定位支架包括升降定位支架和填充框架，所述填充框架設置在所述升降定位支架的頂端；所述填充框架內部從下到上能夠滑動填充若干個燒結盤，在各個所述燒結盤從所述填充框架的底端向所述填充框架的頂端依次填充的過程中，各個所述填充框架能夠帶動對應的各個所述燒結盤在所述燒結腔內部升降，將位于中間位置的所述燒結盤定位在所述燒結腔的中央位置；所述保護爐體內部還設置有抽氣機構和補氣機構，所述抽氣機構能夠獨立對所述燒結腔內部進行抽氣，所述補氣機構能夠獨立向所述燒結腔內部進行補氣，所述抽氣機構和所述補氣機構能夠配合對所述燒結腔內部的氣氛進行調整；所述升降定位支架包括外部限位框架，所述外部限位框架內部設置有若干個升降限位軌道，位于最外側的各個所述升降限位軌道下方均設置有彈簧固定板；各個所述彈簧固定板頂端均固定有位置調整彈簧，各個所述填充框架從下到上依次嵌入各個所述升降限位軌道內部，各個所述位置調整彈簧遠離對應的所述彈簧固定板的一端均位于最底端的所述填充框架的底面之間固定。

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