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龍圖騰網(wǎng)獲悉大連芯材薄膜技術(shù)有限公司申請的專利一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119845441B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510329554.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01K7/18；該發(fā)明授權(quán)一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝是由周大雨;亢曉奎;張斌;寇啟迪;徐進(jìn)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-20向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝，屬于深低溫溫度傳感器技術(shù)領(lǐng)域。所述高性能電阻型深低溫溫度傳感器為疊層結(jié)構(gòu)，包括：器件襯底，沉積在所述器件襯底上的敏感層薄膜，沉積在所述敏感層薄膜上的電極層薄膜，電極層薄膜經(jīng)刻蝕后所形成的叉指圖形；所述敏感層薄膜為過渡金屬鉿或鋯的單氮化物，所述電極層薄膜也為過渡金屬鉿或鋯的單氮化物，兩層薄膜的材料相同，但各自元素含量不同，物相體系不同。本發(fā)明能夠在保證溫度傳感器具有高的靈敏度和精度的前提下，減少敏感層薄膜和電極層薄膜的開裂脫落、提升器件的壽命和可靠性，顯著提高器件的應(yīng)用穩(wěn)定性；可在低溫溫度傳感器技術(shù)領(lǐng)域廣泛推廣。

本發(fā)明授權(quán)一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器，其特征在于，所述的高性能電阻型深低溫溫度傳感器為疊層結(jié)構(gòu)，包括：器件襯底，沉積在所述器件襯底上的敏感層薄膜，沉積在所述敏感層薄膜上的電極層薄膜，電極層薄膜經(jīng)刻蝕后所形成的叉指圖形；所述敏感層薄膜為過渡金屬鉿或鋯的單氮化物，所述電極層薄膜也為過渡金屬鉿或鋯的單氮化物，兩層薄膜的材料相同，但各自元素含量不同，物相體系不同；所述敏感層薄膜、電極層薄膜具體為：所述敏感層薄膜采用呈半導(dǎo)體導(dǎo)電特性的過化學(xué)計(jì)量比的混相氮化鉿或氮化鋯；所述敏感層薄膜中的單氮化物為HfNx或ZrNx，敏感層薄膜中的氮含量高，元素的化學(xué)計(jì)量比x處在1.1~1.2區(qū)間；所述電極層薄膜采用具有良好導(dǎo)電性的近化學(xué)計(jì)量比的巖鹽相氮化鉿或氮化鋯；所述電極層薄膜中的單氮化物為HfN或ZrN，電極層薄膜中的氮含量低、為近化學(xué)計(jì)量比的巖鹽相HfN或ZrN薄膜。

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