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龍圖騰網(wǎng)恭喜大連芯材薄膜技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119845441B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510329554.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01K7/18；該發(fā)明授權(quán)一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝是由周大雨;亢曉奎;張斌;寇啟迪;徐進(jìn)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝，屬于深低溫溫度傳感器技術(shù)領(lǐng)域。所述高性能電阻型深低溫溫度傳感器為疊層結(jié)構(gòu)，包括：器件襯底，沉積在所述器件襯底上的敏感層薄膜，沉積在所述敏感層薄膜上的電極層薄膜，電極層薄膜經(jīng)刻蝕后所形成的叉指圖形；所述敏感層薄膜為過(guò)渡金屬鉿或鋯的單氮化物，所述電極層薄膜也為過(guò)渡金屬鉿或鋯的單氮化物，兩層薄膜的材料相同，但各自元素含量不同，物相體系不同。本發(fā)明能夠在保證溫度傳感器具有高的靈敏度和精度的前提下，減少敏感層薄膜和電極層薄膜的開(kāi)裂脫落、提升器件的壽命和可靠性，顯著提高器件的應(yīng)用穩(wěn)定性；可在低溫溫度傳感器技術(shù)領(lǐng)域廣泛推廣。

本發(fā)明授權(quán)一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器及制造工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高性能電阻型深低溫溫度傳感器，其特征在于，所述的高性能電阻型深低溫溫度傳感器為疊層結(jié)構(gòu)，包括：器件襯底，沉積在所述器件襯底上的敏感層薄膜，沉積在所述敏感層薄膜上的電極層薄膜，電極層薄膜經(jīng)刻蝕后所形成的叉指圖形；所述敏感層薄膜為過(guò)渡金屬鉿或鋯的單氮化物，所述電極層薄膜也為過(guò)渡金屬鉿或鋯的單氮化物，兩層薄膜的材料相同，但各自元素含量不同，物相體系不同；所述敏感層薄膜、電極層薄膜具體為：所述敏感層薄膜采用呈半導(dǎo)體導(dǎo)電特性的過(guò)化學(xué)計(jì)量比的混相氮化鉿或氮化鋯；所述敏感層薄膜中的單氮化物為HfNx或ZrNx，敏感層薄膜中的氮含量高，元素的化學(xué)計(jì)量比x處在1.1~1.2區(qū)間；所述電極層薄膜采用具有良好導(dǎo)電性的近化學(xué)計(jì)量比的巖鹽相氮化鉿或氮化鋯；所述電極層薄膜中的單氮化物為HfN或ZrN，電極層薄膜中的氮含量低、為近化學(xué)計(jì)量比的巖鹽相HfN或ZrN薄膜。

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