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龍圖騰網(wǎng)恭喜金陽(泉州)新能源科技有限公司申請的專利一種具有特定鈍化結(jié)構(gòu)的背接觸電池及其制造方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119866068B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510345105.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F10/166；該發(fā)明授權(quán)一種具有特定鈍化結(jié)構(gòu)的背接觸電池及其制造方法和應(yīng)用是由林楷睿設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-03-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種具有特定鈍化結(jié)構(gòu)的背接觸電池及其制造方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于背接觸電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有特定鈍化結(jié)構(gòu)的背接觸電池及其制造方法和應(yīng)用，背接觸電池中第二半導(dǎo)體層包含從硅片背面向外依次設(shè)置的非晶硅層和第二摻雜晶硅層，第二摻雜晶硅層包含第二摻雜微晶區(qū)和位于第二摻雜微晶區(qū)兩側(cè)的第二摻雜非晶區(qū)，第二摻雜微晶區(qū)位于第二半導(dǎo)體開口區(qū)對應(yīng)的位置并與導(dǎo)電膜層接觸，第二摻雜非晶區(qū)鋪設(shè)在第一摻雜多晶硅層的側(cè)面端部及其相鄰部分背面外；其中，第二摻雜微晶區(qū)的晶化率為5%?80%。本發(fā)明能夠大幅降低第二摻雜晶硅層的體電阻率，還降低第二摻雜晶硅層與導(dǎo)電膜層之間的接觸電阻率，從而大幅降低電池的串聯(lián)電阻，同時有效避免漏電流，提高電池效率。

本發(fā)明授權(quán)一種具有特定鈍化結(jié)構(gòu)的背接觸電池及其制造方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有特定鈍化結(jié)構(gòu)的背接觸電池，包括硅片，在硅片背面交替設(shè)置的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，以及設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層外的導(dǎo)電膜層，其中相鄰的第一半導(dǎo)體層之間形成第二半導(dǎo)體開口區(qū)，所述第二半導(dǎo)體層的兩端分別向外延伸至覆蓋在相鄰的第一半導(dǎo)體層的部分背面外，并在第一半導(dǎo)體層的背面開設(shè)不覆蓋第二半導(dǎo)體層的第一半導(dǎo)體開口區(qū)，第一半導(dǎo)體層包含第一摻雜多晶硅層；其特征在于，第二半導(dǎo)體層包含從硅片背面向外依次設(shè)置的非晶硅層和第二摻雜晶硅層，第二摻雜晶硅層包含第二摻雜微晶區(qū)和位于第二摻雜微晶區(qū)兩側(cè)的第二摻雜非晶區(qū)，第二摻雜微晶區(qū)位于第二半導(dǎo)體開口區(qū)對應(yīng)的位置并與導(dǎo)電膜層接觸，第二摻雜非晶區(qū)鋪設(shè)在第一摻雜多晶硅層的側(cè)面端部及其相鄰部分背面外；其中，第二摻雜微晶區(qū)的晶化率為5%-80%，第二摻雜微晶區(qū)與第二摻雜非晶區(qū)的電導(dǎo)率之比為（1e1-1e6）：1，第二摻雜微晶區(qū)的電導(dǎo)率在1e-1Ω·cm-1-5e2Ω·cm-1。

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