金陽(泉州)新能源科技有限公司林楷睿獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉金陽(泉州)新能源科技有限公司申請的專利一種具有特定鈍化結構的背接觸電池及其制造方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119866068B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510345105.9，技術領域涉及：H10F10/166；該發明授權一種具有特定鈍化結構的背接觸電池及其制造方法和應用是由林楷睿設計研發完成，并于2025-03-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有特定鈍化結構的背接觸電池及其制造方法和應用在說明書摘要公布了：本發明屬于背接觸電池技術領域，具體涉及一種具有特定鈍化結構的背接觸電池及其制造方法和應用，背接觸電池中第二半導體層包含從硅片背面向外依次設置的非晶硅層和第二摻雜晶硅層，第二摻雜晶硅層包含第二摻雜微晶區和位于第二摻雜微晶區兩側的第二摻雜非晶區，第二摻雜微晶區位于第二半導體開口區對應的位置并與導電膜層接觸，第二摻雜非晶區鋪設在第一摻雜多晶硅層的側面端部及其相鄰部分背面外；其中，第二摻雜微晶區的晶化率為5%?80%。本發明能夠大幅降低第二摻雜晶硅層的體電阻率，還降低第二摻雜晶硅層與導電膜層之間的接觸電阻率，從而大幅降低電池的串聯電阻，同時有效避免漏電流，提高電池效率。
本發明授權一種具有特定鈍化結構的背接觸電池及其制造方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種具有特定鈍化結構的背接觸電池，包括硅片，在硅片背面交替設置的第一半導體層和第二半導體層，以及設置在第一半導體層和第二半導體層外的導電膜層，其中相鄰的第一半導體層之間形成第二半導體開口區，所述第二半導體層的兩端分別向外延伸至覆蓋在相鄰的第一半導體層的部分背面外，并在第一半導體層的背面開設不覆蓋第二半導體層的第一半導體開口區，第一半導體層包含第一摻雜多晶硅層；其特征在于，第二半導體層包含從硅片背面向外依次設置的非晶硅層和第二摻雜晶硅層，第二摻雜晶硅層包含第二摻雜微晶區和位于第二摻雜微晶區兩側的第二摻雜非晶區，第二摻雜微晶區位于第二半導體開口區對應的位置并與導電膜層接觸，第二摻雜非晶區鋪設在第一摻雜多晶硅層的側面端部及其相鄰部分背面外；其中，第二摻雜微晶區的晶化率為5%-80%，第二摻雜微晶區與第二摻雜非晶區的電導率之比為（1e1-1e6）：1，第二摻雜微晶區的電導率在1e-1Ω·cm-1-5e2Ω·cm-1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人金陽(泉州)新能源科技有限公司，其通訊地址為：362000 福建省泉州市鯉城區海濱街道筍浯社區浯江路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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