恭喜隔熱半導體粘合技術公司G·高獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜隔熱半導體粘合技術公司申請的專利作為焊盤的TSV獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112585740B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980051599.2，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權作為焊盤的TSV是由G·高;B·李;G·G·小方丹;C·E·尤佐;B·哈巴;L·W·米卡里米;R·坎卡爾設計研發完成，并于2019-06-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本作為焊盤的TSV在說明書摘要公布了：包括過程步驟的代表性技術和器件可以被采用，來減輕由于接合界面處的金屬膨脹而導致接合的微電子襯底的分層的可能性。例如，穿硅過孔TSV可以設置穿過微電子襯底中的至少一個微電子襯底。TSV在襯底的接合界面處被暴露，并且用作針對直接接合的接觸表面。
本發明授權作為焊盤的TSV在權利要求書中公布了：1.一種形成微電子組件的方法，包括：提供穿過第一襯底的第一導電過孔，所述第一襯底具有基部層和第一接合表面，所述第一導電過孔至少部分地延伸穿過所述第一襯底并且具有埋置的第一端部；從與所述第一接合表面相對的表面暴露所述第一導電過孔的所述第一端部；在與所述第一接合表面相對的所述表面處形成第二接合表面，形成第二接合表面包括：形成至少部分地由非導電接合層限定的非導電表面，所述非導電接合層具有電介質層和所述電介質層上的絕緣體；拋光所述非導電表面；以及使所述第一導電過孔的暴露的第一端部凹陷，其中所述電介質層沿著所述導電過孔的部分延伸并且在所述基部層之上延伸；提供第二襯底，所述第二襯底包括至少部分地延伸穿過所述第二襯底的第二導電過孔以及電耦合到所述第二導電過孔的焊盤；以及將所述第一襯底的所述第二接合表面接合到所述第二襯底，使得所述第二導電過孔接觸所述第一導電過孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人隔熱半導體粘合技術公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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