恭喜廣東致能半導體有限公司黎子蘭獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜廣東致能半導體有限公司申請的專利一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447836B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910822403.7，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管是由黎子蘭設計研發完成，并于2019-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體功率器件，具體而言，涉及一種高耐壓高電子遷移率晶體管HEMT。高耐壓高電子遷移率晶體管，其包含柵電極、源電極、漏電極、勢壘層、P?型氮化物半導體層、襯底；P?型氮化物半導體層位于勢壘層和襯底之間，其不足以顯著耗盡除柵堆垛外的溝道中的二維電子氣，且源電極與P?型氮化物半導體層電接觸，源電極與漏電極都與二維電子氣電接觸。
本發明授權一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管在權利要求書中公布了：1.一種高電子遷移率晶體管，其包含柵電極、源電極、漏電極、勢壘層、P-型氮化物半導體層、襯底；P-型氮化物半導體層位于勢壘層和襯底之間，其不足以顯著耗盡除柵堆垛外的溝道中的二維電子氣，且源電極與P-型氮化物半導體層電接觸，源電極與漏電極都與二維電子氣電接觸；所述P-型氮化物半導體層通過選區側向外延生長而成；所述P-型氮化物半導體層在選區側向外延生長靠近預設漏電極的部分時輕摻雜或不摻雜，所述輕摻雜的摻雜濃度在2E18cm3以下；P-型氮化物半導體層至少部分位于源電極與柵電極以及柵電極與漏電極之間的區域；P-型氮化物半導體層包括強P-型摻雜區域和P-型氮化物半導體層區域，其中強P-型摻雜區域位于柵電極和或源電極下方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東致能半導體有限公司，其通訊地址為：518100 廣東省深圳市寶安區新安街道海濱社區寶興路6號海納百川總部大廈A座3層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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