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龍圖騰網(wǎng)恭喜廣東致能半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112447836B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910822403.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管是由黎子蘭設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-08-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管在說明書摘要公布了：本申請涉及半導(dǎo)體功率器件，具體而言，涉及一種高耐壓高電子遷移率晶體管HEMT。高耐壓高電子遷移率晶體管，其包含柵電極、源電極、漏電極、勢壘層、P?型氮化物半導(dǎo)體層、襯底；P?型氮化物半導(dǎo)體層位于勢壘層和襯底之間，其不足以顯著耗盡除柵堆垛外的溝道中的二維電子氣，且源電極與P?型氮化物半導(dǎo)體層電接觸，源電極與漏電極都與二維電子氣電接觸。

本發(fā)明授權(quán)一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高電子遷移率晶體管，其包含柵電極、源電極、漏電極、勢壘層、P-型氮化物半導(dǎo)體層、襯底；P-型氮化物半導(dǎo)體層位于勢壘層和襯底之間，其不足以顯著耗盡除柵堆垛外的溝道中的二維電子氣，且源電極與P-型氮化物半導(dǎo)體層電接觸，源電極與漏電極都與二維電子氣電接觸；所述P-型氮化物半導(dǎo)體層通過選區(qū)側(cè)向外延生長而成；所述P-型氮化物半導(dǎo)體層在選區(qū)側(cè)向外延生長靠近預(yù)設(shè)漏電極的部分時輕摻雜或不摻雜，所述輕摻雜的摻雜濃度在2E18cm3以下；P-型氮化物半導(dǎo)體層至少部分位于源電極與柵電極以及柵電極與漏電極之間的區(qū)域；P-型氮化物半導(dǎo)體層包括強P-型摻雜區(qū)域和P-型氮化物半導(dǎo)體層區(qū)域，其中強P-型摻雜區(qū)域位于柵電極和或源電極下方。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廣東致能半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：518100 廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道海濱社區(qū)寶興路6號海納百川總部大廈A座3層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。