恭喜朗姆研究公司吳惠榮獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利用于高深寬比圖案化和豎直縮放的膜堆疊簡化獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112956026B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980073253.2，技術領域涉及：H10B41/20；該發明授權用于高深寬比圖案化和豎直縮放的膜堆疊簡化是由吳惠榮;巴特·J·范施拉芬迪克;馬克·直司·川口;格倫·古納萬;杰伊·E·厄格洛;納格拉杰·尚卡爾;高里·錢納·卡瑪蒂;凱文·M·麥克勞克林;阿南達·K·巴納基;楊家嶺;約翰·霍昂;亞倫·林恩·羅贊;南森·馬塞爾懷特;沈美華;索斯藤·貝恩德·萊爾;遲昊;尼古拉斯·多米尼克·阿爾鐵里設計研發完成，并于2019-09-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于高深寬比圖案化和豎直縮放的膜堆疊簡化在說明書摘要公布了：本文提供用于形成包括含金屬層的圖案化多層堆疊件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金屬代替的一犧牲層的多層堆疊件中使用含硅的非金屬材料，同時維持蝕刻對比度以圖案化多層堆疊件并在沉積金屬之前選擇性移除犧牲層。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用犧牲非金屬材料代替含金屬層，以制造多層堆疊件、圖案化該多層堆疊件、選擇性移除犧牲非金屬材料以在堆疊件中留下空間、并將含金屬材料沉積至空間中。犧牲非金屬材料包括硅氮化物和摻雜的多晶硅、例如摻雜硼的硅。
本發明授權用于高深寬比圖案化和豎直縮放的膜堆疊簡化在權利要求書中公布了：1.一種用于制造半導體裝置的方法，其包含：提供半導體襯底；沉積具有至少三種不同材料的無金屬多層堆疊件，所述三種不同材料中的至少一者是犧牲層；在具有所述至少三種不同材料的所述無金屬多層堆疊件中蝕刻出溝槽或通孔；使所述無金屬多層堆疊件中的所述溝槽或通孔的側壁中的介電材料內凹；相對于所述無金屬多層堆疊件的其他材料而選擇性蝕刻所述犧牲層，以在所述無金屬多層堆疊件的多個層之間形成至少一個空間：以及在所述至少一個空間中沉積金屬，以形成在其中蝕刻有溝槽或通孔的含金屬多層堆疊件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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