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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利針對(duì)3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113302716B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980088493.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)針對(duì)3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜是由普拉莫德·蘇布拉莫尼姆;納格拉杰·尚卡爾;馬來(lái)·米蘭·薩曼塔雷;吉澤克典;巴特·J·范施拉文迪克設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-10-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本針對(duì)3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供了一種在氧化物層上沉積氮化物層以形成氧化物?氮化物堆疊件的方法。該方法包含：將惰性氣體供應(yīng)至支撐具有所述氧化物層的襯底的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD反應(yīng)器中。然后，向所述PECVD反應(yīng)器的電極提供功率，所述功率被配置成激勵(lì)等離子體。接著，使反應(yīng)物氣體流入所述PECVD反應(yīng)器。所述反應(yīng)物氣體包含第一體積百分比的氨氣NH3、第二體積百分比的氮?dú)釴2、第三體積百分比的硅烷SiH4和第四體積百分比的氧化劑。所述氧化劑的所述第四體積百分比為至少0.5％的體積百分比且小于約8％的體積百分比。然后，持續(xù)使所述反應(yīng)物氣體流入所述PECVD反應(yīng)器中，直到確定所述氮化物層在所述氧化物層上達(dá)到目標(biāo)厚度為止。

本發(fā)明授權(quán)針對(duì)3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種在氧化物層上沉積氮化物層以形成氧化物-氮化物堆疊件的方法，其包含：將惰性氣體供應(yīng)至支撐具有所述氧化物層的襯底的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD反應(yīng)器中；向所述PECVD反應(yīng)器的電極提供功率，所述功率被配置成激勵(lì)等離子體；使反應(yīng)物氣體流入所述PECVD反應(yīng)器，所述反應(yīng)物氣體包含第一體積百分比的氨氣NH3、第二體積百分比的氮?dú)釴2、第三體積百分比的硅烷SiH4和第四體積百分比的氧化劑，其中所述氧化劑的所述第四體積百分比為至少0.5％的體積百分比且小于8％的體積百分比；以及持續(xù)使所述反應(yīng)物氣體流入所述PECVD反應(yīng)器中，直到確定所述氮化物層在所述氧化物層上達(dá)到目標(biāo)厚度為止。

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