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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利針對3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113302716B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980088493.X，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權針對3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜是由普拉莫德·蘇布拉莫尼姆;納格拉杰·尚卡爾;馬來·米蘭·薩曼塔雷;吉澤克典;巴特·J·范施拉文迪克設計研發完成，并于2019-10-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本針對3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜在說明書摘要公布了：提供了一種在氧化物層上沉積氮化物層以形成氧化物?氮化物堆疊件的方法。該方法包含：將惰性氣體供應至支撐具有所述氧化物層的襯底的等離子體增強化學氣相沉積PECVD反應器中。然后，向所述PECVD反應器的電極提供功率，所述功率被配置成激勵等離子體。接著，使反應物氣體流入所述PECVD反應器。所述反應物氣體包含第一體積百分比的氨氣NH3、第二體積百分比的氮氣N2、第三體積百分比的硅烷SiH4和第四體積百分比的氧化劑。所述氧化劑的所述第四體積百分比為至少0.5％的體積百分比且小于約8％的體積百分比。然后，持續使所述反應物氣體流入所述PECVD反應器中，直到確定所述氮化物層在所述氧化物層上達到目標厚度為止。

本發明授權針對3D NAND集成具有改善的蝕刻選擇性的氮化物膜在權利要求書中公布了：1.一種在氧化物層上沉積氮化物層以形成氧化物-氮化物堆疊件的方法，其包含：將惰性氣體供應至支撐具有所述氧化物層的襯底的等離子體增強化學氣相沉積PECVD反應器中；向所述PECVD反應器的電極提供功率，所述功率被配置成激勵等離子體；使反應物氣體流入所述PECVD反應器，所述反應物氣體包含第一體積百分比的氨氣NH3、第二體積百分比的氮氣N2、第三體積百分比的硅烷SiH4和第四體積百分比的氧化劑，其中所述氧化劑的所述第四體積百分比為至少0.5％的體積百分比且小于8％的體積百分比；以及持續使所述反應物氣體流入所述PECVD反應器中，直到確定所述氮化物層在所述氧化物層上達到目標厚度為止。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。