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龍圖騰網(wǎng)恭喜富士電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111341772B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911016093.6，技術(shù)領域涉及：H10D84/60；該發(fā)明授權(quán)半導體裝置是由白川徹設計研發(fā)完成，并于2019-10-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導體裝置，能夠針對導通時的集電極?發(fā)射極間電流改善didt控制性，并能夠抑制振蕩。半導體裝置20是溝槽柵結(jié)構(gòu)的IGBT，在p?型基區(qū)32的正下方具有積累區(qū)33，并作為構(gòu)成溝槽柵結(jié)構(gòu)的溝槽36而具有柵極溝槽36a和虛設溝槽36b。配置溝槽36的間隔臺面寬度w1為0.7μm～2μm。在柵極溝槽36a的內(nèi)部隔著第一柵極絕緣膜37a設置有柵極電位的第一柵極電極38a。在虛設溝槽36b的內(nèi)部隔著第二柵極絕緣膜37b設置有發(fā)射極電位的第二柵極電極38b。柵極溝槽36a的數(shù)量相對于溝槽36的總數(shù)的比率為60％以上且84％以下。

本發(fā)明授權(quán)半導體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：第一導電型的第一半導體區(qū)，設置于半導體基板的內(nèi)部；第二導電型的第二半導體區(qū)，設置于所述半導體基板的內(nèi)部的、比所述第一半導體區(qū)更靠所述半導體基板的正面?zhèn)鹊奈恢茫坏谝粚щ娦偷牡谌雽w區(qū)，以與所述第二半導體區(qū)接觸的方式設置于所述第一半導體區(qū)的內(nèi)部，且雜質(zhì)濃度比所述第一半導體區(qū)高；第一導電型的第四半導體區(qū)，選擇性地設置于所述第二半導體區(qū)的內(nèi)部；第二導電型的第五半導體區(qū)，以與所述第一半導體區(qū)接觸的方式設置于所述半導體基板的內(nèi)部的、比所述第一半導體區(qū)更靠所述半導體基板的背面?zhèn)鹊奈恢茫坏谝粚щ娦偷木彌_區(qū)，設置于所述半導體基板的背面?zhèn)龋粶喜郏c所述第四半導體區(qū)和所述第二半導體區(qū)接觸而到達所述第一半導體區(qū)；第一電極，隔著絕緣膜設置于所述溝槽的內(nèi)部；第二電極，與所述第二半導體區(qū)和所述第四半導體區(qū)電連接；以及第三電極，與所述第五半導體區(qū)電連接，所述溝槽以預定的間隔配置有多個，所述溝槽包括柵極溝槽和虛設溝槽，所述第一電極包括柵極電位的柵極電極和與所述第二電極電連接的虛設柵極電極，所述柵極溝槽在內(nèi)部具有所述柵極電極，所述虛設溝槽在內(nèi)部具有所述虛設柵極電極，所述預定的間隔為0.7μm~2μm，所述柵極溝槽的數(shù)量相對于所述溝槽的總數(shù)的比率為60%以上且84%以下，所述柵極溝槽的數(shù)量相對于所述溝槽的總數(shù)的比率能夠隨著將所述緩沖區(qū)、所述第一半導體區(qū)和第三半導體區(qū)依次層疊而成的區(qū)域的厚度變厚而增大。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人富士電機株式會社，其通訊地址為：日本神奈川縣川崎市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。