買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜富士電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111341772B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911016093.6，技術領域涉及：H10D84/60；該發明授權半導體裝置是由白川徹設計研發完成，并于2019-10-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體裝置，能夠針對導通時的集電極?發射極間電流改善didt控制性，并能夠抑制振蕩。半導體裝置20是溝槽柵結構的IGBT，在p?型基區32的正下方具有積累區33，并作為構成溝槽柵結構的溝槽36而具有柵極溝槽36a和虛設溝槽36b。配置溝槽36的間隔臺面寬度w1為0.7μm～2μm。在柵極溝槽36a的內部隔著第一柵極絕緣膜37a設置有柵極電位的第一柵極電極38a。在虛設溝槽36b的內部隔著第二柵極絕緣膜37b設置有發射極電位的第二柵極電極38b。柵極溝槽36a的數量相對于溝槽36的總數的比率為60％以上且84％以下。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：第一導電型的第一半導體區，設置于半導體基板的內部；第二導電型的第二半導體區，設置于所述半導體基板的內部的、比所述第一半導體區更靠所述半導體基板的正面側的位置；第一導電型的第三半導體區，以與所述第二半導體區接觸的方式設置于所述第一半導體區的內部，且雜質濃度比所述第一半導體區高；第一導電型的第四半導體區，選擇性地設置于所述第二半導體區的內部；第二導電型的第五半導體區，以與所述第一半導體區接觸的方式設置于所述半導體基板的內部的、比所述第一半導體區更靠所述半導體基板的背面側的位置；第一導電型的緩沖區，設置于所述半導體基板的背面側；溝槽，與所述第四半導體區和所述第二半導體區接觸而到達所述第一半導體區；第一電極，隔著絕緣膜設置于所述溝槽的內部；第二電極，與所述第二半導體區和所述第四半導體區電連接；以及第三電極，與所述第五半導體區電連接，所述溝槽以預定的間隔配置有多個，所述溝槽包括柵極溝槽和虛設溝槽，所述第一電極包括柵極電位的柵極電極和與所述第二電極電連接的虛設柵極電極，所述柵極溝槽在內部具有所述柵極電極，所述虛設溝槽在內部具有所述虛設柵極電極，所述預定的間隔為0.7μm~2μm，所述柵極溝槽的數量相對于所述溝槽的總數的比率為60%以上且84%以下，所述柵極溝槽的數量相對于所述溝槽的總數的比率能夠隨著將所述緩沖區、所述第一半導體區和第三半導體區依次層疊而成的區域的厚度變厚而增大。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人富士電機株式會社，其通訊地址為：日本神奈川縣川崎市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。