恭喜三菱電機株式會社尾上和之獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置以及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114930658B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080092759.0，技術領域涉及：H01S5/227；該發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法是由尾上和之設計研發完成，并于2020-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本公開所涉及的半導體裝置具備：主部，其具有半導體基板、設置在半導體基板之上且作為n型和p型中的一方的第1型的第1包覆層、設置在第1包覆層之上的活性層、設置在活性層之上且作為n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆層，并形成有平坦部和包括活性層的臺面部；和第1埋入層，其為第2型且覆蓋平坦部的上表面和臺面部的側面，第1埋入層在平坦部的上表面中的在距臺面部與平坦部的邊界為臺面部的高度以內的區域設置的部分的上表面具有突起部。
本發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：主部，其具有半導體基板、設置在所述半導體基板之上且作為n型和p型中的一方的第1型的第1包覆層、設置在所述第1包覆層之上的活性層、設置在所述活性層之上且作為n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆層，并形成有平坦部、和與所述平坦部鄰接且相對于所述平坦部向上方突出且包括所述活性層的臺面部；第1埋入層，其為所述第2型，且具有覆蓋所述平坦部的上表面的第1部分、和覆蓋所述臺面部的側面的第2部分；所述第1型的第2埋入層，其設置在所述第1埋入層之上；第1電極，其設置于所述臺面部的上方；以及第2電極，其設置于所述臺面部的下方，所述第1埋入層在所述平坦部的所述上表面中的在距所述臺面部與所述平坦部的邊界為所述臺面部的高度以內的區域設置的部分的上表面具有突起部，所述第1埋入層具有：凸起狀的第1半導體層，其設置于所述突起部的正下方；和第2半導體層，其覆蓋所述臺面部的所述側面、所述平坦部的所述上表面和所述第1半導體層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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