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恭喜王振志;何立瑋獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜王振志;何立瑋申請的專利動態隨機存取存儲器元件及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN111863814B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010120377.6,技術領域涉及:H10B12/00;該發明授權動態隨機存取存儲器元件及其制造方法是由王振志;何立瑋設計研發完成,并于2020-02-26向國家知識產權局提交的專利申請。

動態隨機存取存儲器元件及其制造方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種動態隨機存取存儲器元件包含形成于半導體基材上的多條位線、多條第一隔離帶、多條第二隔離帶、形成于該等第一隔離帶與該等第二隔離帶之間的多個晶體管、多條字線以及形成于該等第一隔離帶與該等第二隔離帶上方的多個電容器。半導體基材定義縱向方向、橫向方向、多個沿該縱向方向的列以及多個沿橫向方向的行。該等第一隔離帶與該等第二隔離帶沿縱向方向延伸。每一個晶體管對應該等列中的一個列與該等行中的一個行。位于每一條第一隔離帶的一側的該等晶體管與位于該條第一隔離帶的另一側的該等晶體管交錯排列。

本發明授權動態隨機存取存儲器元件及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種動態隨機存取存儲器元件,其特征在于,包含:半導體基材,定義一縱向方向、一橫向方向、一法向方向、沿所述縱向方向的多個列以及沿所述橫向方向的多個行;多條位線,形成于所述半導體基材上,每一條位線對應所述多個行中的一個行并且沿其對應的行延伸;多條第一隔離帶,形成于所述多條位線上并且沿所述縱向方向延伸,每一條第一隔離帶具有一個別的第一縱向邊緣以及一個別的第二縱向邊緣;多條第二隔離帶,形成于所述多條位線上并且沿所述縱向方向延伸,每一條第二隔離帶具有一個別的第三縱向邊緣以及一個別的第四縱向邊緣,所述多條第一隔離帶以及所述多條第二隔離帶交替排列;多條堆疊帶,由形成于所述多條位線上的第一半導體層、形成于所述第一半導體層上的第一絕緣層以及形成于所述第一絕緣層上的第二半導體層所構成,每一條堆疊帶對應所述多條第一隔離帶中的一條第一隔離帶與所述多條第二隔離帶中的一條第二隔離帶,且位于其對應的第一隔離帶與其對應的第二隔離帶之間,每一條堆疊帶具有多個凹陷,其中所述多個凹陷面向其對應的第二隔離帶的所述第三縱向邊緣或所述第四縱向邊緣,位于每一條第一隔離帶的一側的所述凹陷與位于所述第一隔離帶的另一側的所述凹陷交錯排列,每一個凹陷對應所述多個列中的一個列與所述多個行中的一個行;多個晶體管,每一個晶體管對應所述凹陷中的一個凹陷并且包含由一半導體材料形成的一個別的柱體,每一個柱體配合其對應的凹陷且沿所述橫向方向延伸,每一個柱體具有一個別的平行所述法向方向的基礎側面、一個別的與所述基礎側面相對的錐形側面、一個別的垂直所述法向方向的第一頂面、一個別的與所述第一頂面相對的底面、一個別的相鄰所述基礎側面與所述錐形側面的前側面以及一個別的與所述前側面相對的后側面,在每一個柱體中,一個別的第一細長部分夾在所述第一頂面、所述基礎側面、所述前側面以及所述后側面之間形成一個別的源極區域,一個別的第二細長部分夾在所述底面、所述基礎側面、所述前側面以及所述后側面之間形成一個別的漏極區域,一個別的板狀部分位于所述基礎側面上且位于所述第一細長部分與所述第二細長部分之間形成一個別的通道區域,所述柱體中除過源級區、漏極區和通道區以外的區域形成一個別的本體區域,每一個晶體管并且包含一個別的被覆其對應的由所述半導體材料形成的所述柱體的所述基礎側面的介電層、一個別的被覆所述介電層的柵極導體、一個別的第一子位線以及一個別的第二子位線,所述個別的第一子位線形成于所述第一半導體層處且連接于所述漏極區域與對應所述晶體管的所述位線之間,所述個別的第二子位線形成于所述第二半導體層處且連接所述源極區域;多條字線,每一條字線對應所述多個列中的一個列并且連接沿著其對應的列排列的所述柵極導體;第二絕緣層,形成于所述第二半導體層、所述多條第一隔離帶以及所述多條第二隔離帶上;多個轉接通孔接觸,每一個轉接通孔接觸對應多條第二子位線中的一個第二子位線并且形成以貫穿所述第二絕緣層進而連接其對應的第二子位線;第三絕緣層,形成于所述第二絕緣層以及所述多個轉接通孔接觸上;以及多個電容器,每一個電容器對應所述多個轉接通孔接觸中的一個轉接通孔接觸并且形成以貫穿所述第三絕緣層進而連接其對應的轉接通孔接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人王振志;何立瑋,其通訊地址為:中國臺灣臺北市文山區木新路三段189巷4號3樓;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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