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龍圖騰網(wǎng)恭喜同和電子科技有限公司申請的專利半導體光器件的制造方法和半導體光器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113994487B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080039758.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/824；該發(fā)明授權(quán)半導體光器件的制造方法和半導體光器件是由門脅嘉孝;田中治設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-06-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體光器件的制造方法和半導體光器件在說明書摘要公布了：提供一種半導體光器件的制造方法，其能夠改善具備至少包含In、以及As和Sb的半導體層的半導體光器件的光器件特性。本發(fā)明的半導體光器件的制造方法具有如下工序：在InAs生長用基板上形成蝕刻阻擋層的第一工序；形成半導體層疊體的第二工序；形成配電部的第三工序；借助金屬接合層而與支承基板接合的第四工序；以及，去除InAs生長用基板的第五工序。

本發(fā)明授權(quán)半導體光器件的制造方法和半導體光器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體光器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：第一工序，在InAs生長用基板上形成蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層由至少包含Ga和Sb的GaAsSb系III-V族化合物半導體形成；第二工序，在所述蝕刻阻擋層上形成半導體層疊體，所述半導體層疊體層疊有多個由至少包含In和As的InAsSbP系III-V族化合物半導體形成的層；第三工序，在所述半導體層疊體上形成配電部，所述配電部具備具有貫通孔的透明絕緣層和設(shè)置于所述貫通孔的歐姆電極部；第四工序，至少借助金屬接合層將所述半導體層疊體和所述配電部與支承基板接合；以及第五工序，去除所述InAs生長用基板，所述去除后，露出所述蝕刻阻擋層，所述半導體層疊體中的至少一個所述層的InAsSbP系III-V族化合物半導體至少包含In、以及As和Sb。

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