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龍圖騰網(wǎng)獲悉旺宏電子股份有限公司申請(qǐng)的專利三維存儲(chǔ)器元件及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114649340B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011586692.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器元件及其制造方法是由葉騰豪;呂函庭;李冠儒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本三維存儲(chǔ)器元件及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種三維存儲(chǔ)器元件及其制造方法，三維存儲(chǔ)器元件包括多個(gè)塊元，且各塊元包括多個(gè)區(qū)塊，而各區(qū)塊包括柵極堆疊結(jié)構(gòu)、導(dǎo)體層、多個(gè)第一環(huán)狀通道柱、多個(gè)源極漏極柱以及多個(gè)電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底上且包括彼此電性絕緣的多個(gè)柵極層。導(dǎo)體層設(shè)置于基底和柵極堆疊結(jié)構(gòu)之間。第一環(huán)狀通道柱設(shè)置于基底上且位于柵極堆疊結(jié)構(gòu)中。源極漏極柱設(shè)置于基底上且每個(gè)第一環(huán)狀通道柱中配置有兩個(gè)源極漏極柱。每個(gè)電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)設(shè)置于對(duì)應(yīng)的柵極層與對(duì)應(yīng)的第一環(huán)狀通道柱之間。多個(gè)塊元中的一個(gè)的導(dǎo)體層與多個(gè)塊元中的另一個(gè)的導(dǎo)體層隔離開(kāi)來(lái)。

本發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器元件及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種三維存儲(chǔ)器元件，其特征在于，包括多個(gè)塊元，每個(gè)所述塊元包括多個(gè)區(qū)塊，每個(gè)所述區(qū)塊包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于基底上且包括彼此電性絕緣的多個(gè)柵極層；導(dǎo)體層，設(shè)置于所述基底和所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)之間；多個(gè)第一環(huán)狀通道柱，設(shè)置于所述基底上且位于所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)中；多個(gè)源極漏極柱，設(shè)置于所述基底上且每個(gè)所述第一環(huán)狀通道柱中配置有兩個(gè)所述源極漏極柱；以及多個(gè)電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)設(shè)置于對(duì)應(yīng)的所述柵極層與對(duì)應(yīng)的所述第一環(huán)狀通道柱之間，其中多個(gè)所述塊元中的一個(gè)的所述導(dǎo)體層與多個(gè)所述塊元中的另一個(gè)的所述導(dǎo)體層隔離開(kāi)來(lái)，以及其中，多個(gè)所述源極漏極柱延伸至所述導(dǎo)體層中，以使得多個(gè)所述源極漏極柱的部分嵌入所述導(dǎo)體層的內(nèi)部。

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