恭喜旺宏電子股份有限公司葉騰豪獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜旺宏電子股份有限公司申請的專利三維存儲器元件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649340B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011586692.4，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權三維存儲器元件及其制造方法是由葉騰豪;呂函庭;李冠儒設計研發完成，并于2020-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維存儲器元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種三維存儲器元件及其制造方法，三維存儲器元件包括多個塊元，且各塊元包括多個區塊，而各區塊包括柵極堆疊結構、導體層、多個第一環狀通道柱、多個源極漏極柱以及多個電荷儲存結構。柵極堆疊結構設置于基底上且包括彼此電性絕緣的多個柵極層。導體層設置于基底和柵極堆疊結構之間。第一環狀通道柱設置于基底上且位于柵極堆疊結構中。源極漏極柱設置于基底上且每個第一環狀通道柱中配置有兩個源極漏極柱。每個電荷儲存結構設置于對應的柵極層與對應的第一環狀通道柱之間。多個塊元中的一個的導體層與多個塊元中的另一個的導體層隔離開來。
本發明授權三維存儲器元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器元件，其特征在于，包括多個塊元，每個所述塊元包括多個區塊，每個所述區塊包括：柵極堆疊結構，設置于基底上且包括彼此電性絕緣的多個柵極層；導體層，設置于所述基底和所述柵極堆疊結構之間；多個第一環狀通道柱，設置于所述基底上且位于所述柵極堆疊結構中；多個源極漏極柱，設置于所述基底上且每個所述第一環狀通道柱中配置有兩個所述源極漏極柱；以及多個電荷儲存結構，每個所述電荷儲存結構設置于對應的所述柵極層與對應的所述第一環狀通道柱之間，其中多個所述塊元中的一個的所述導體層與多個所述塊元中的另一個的所述導體層隔離開來，以及其中，多個所述源極漏極柱延伸至所述導體層中，以使得多個所述源極漏極柱的部分嵌入所述導體層的內部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人旺宏電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區力行路16號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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