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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司申請的專利陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115524889B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211122142.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02F1/1362；該發(fā)明授權(quán)陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法是由劉洋;李德彥;易軍設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法，包括依次層疊設(shè)置的基板、薄膜晶體管層、鈍化層、像素電極層和彩色濾光層；薄膜晶體管層包括至少一個薄膜晶體管，薄膜晶體管包括第一導(dǎo)電層；鈍化層上包括與薄膜晶體管對應(yīng)的薄膜晶體管區(qū)、并在薄膜晶體管區(qū)內(nèi)設(shè)有第一通孔和第二通孔；像素電極層包括像素電極，彩色濾光層上設(shè)有開口，第一通孔與開口對應(yīng)，第二通孔與開口錯開，像素電極分別穿過第一通孔和第二通孔與第一導(dǎo)電層連接。通過在鈍化層上設(shè)置第一通孔和第二通孔，并使像素電極穿過兩個通孔與第一導(dǎo)電層連接，保證了像素電極和第一導(dǎo)電層之間的電連接，避免了因為像素電極在與第一導(dǎo)電層的連接處發(fā)生斷裂而導(dǎo)致的灰階暗點問題。

本發(fā)明授權(quán)陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：基板；薄膜晶體管層，設(shè)置在所述基板上，所述薄膜晶體管層包括薄膜晶體管組件，所述薄膜晶體管組件包括至少一個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管與第一導(dǎo)電層電連接；鈍化層，設(shè)置在所述薄膜晶體管層上，所述鈍化層上包括與所述薄膜晶體管對應(yīng)的薄膜晶體管區(qū)，所述薄膜晶體管區(qū)包括第一子區(qū)和第二子區(qū)，所述鈍化層在所述薄膜晶體管區(qū)內(nèi)設(shè)有第一通孔和第二通孔；像素電極層，設(shè)置在所述鈍化層上，所述像素電極層包括像素電極，所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，所述像素電極分別穿過所述第一通孔和所述第二通孔與所述第一導(dǎo)電層連接；其中所述鈍化層在所述第一子區(qū)內(nèi)設(shè)有所述第一通孔和所述第二通孔，所述第一子像素電極分別穿過所述第一子區(qū)內(nèi)的第一通孔和第二通孔與所述第一導(dǎo)電層連接；和或，所述鈍化層在所述第二子區(qū)內(nèi)設(shè)有所述第一通孔和所述第二通孔，所述第二子像素電極分別穿過所述第二子區(qū)內(nèi)的第一通孔和第二通孔與所述第一導(dǎo)電層連接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道塘明大道9-2號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。