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龍圖騰網恭喜中北大學;南通高等研究院申請的專利一種基于大馬士革工藝的MEMS開關犧牲層的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114291784B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110814293.7，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種基于大馬士革工藝的MEMS開關犧牲層的制備方法是由王俊強;張世義;吳倩楠;余建剛;李孟委設計研發完成，并于2021-07-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于大馬士革工藝的MEMS開關犧牲層的制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于大馬士革工藝的MEMS開關犧牲層的制備方法，包括步驟：S1、獲取晶圓；S2、在晶圓的表面沉積犧牲層，犧牲層的材料包括半導體材料；S3、刻蝕犧牲層，在共面波導上形成通孔；S4、在通孔中電鍍錨點材料，形成初始錨點；S5、對犧牲層和初始錨點進行拋光處理，形成目標錨點，目標錨點的表面與犧牲層表面平齊；S6、在犧牲層表面電鍍上電極，使得上電極與目標錨點接觸；S7、釋放犧牲層，形成MEMS開關的懸臂梁。該制備方法將大馬士革工藝引入到犧牲層的制備過程中，有效改善了MEMS犧牲層的平整度，提高了犧牲層的穩定性，降低了犧牲層的釋放時間，提高了生產效率，適用于MEMS開關的量產工作。

本發明授權一種基于大馬士革工藝的MEMS開關犧牲層的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于大馬士革工藝的MEMS開關犧牲層的制備方法，其特征在于，包括步驟：S1、獲取晶圓，其中，所述晶圓表面制備有MEMS開關的共面波導；S2、在所述晶圓的表面沉積犧牲層，所述犧牲層的材料包括半導體材料，所述半導體材料包括二氧化硅、非晶硅、氮化硅中的一種或多種；S3、刻蝕所述犧牲層，在所述共面波導上形成通孔包括：S31、在所述犧牲層的表面進行通孔圖形化處理，形成通孔圖形區域；S32、刻蝕所述通孔圖形區域的所述犧牲層，形成所述通孔；S4、在所述通孔中電鍍錨點材料，形成初始錨點，包括；S41、在所述通孔和所述犧牲層表面制備第一種子層；S42、在所述第一種子層表面進行錨點圖形化處理以露出所述通孔，形成錨點圖形區域；S43、在所述錨點圖形區域進行電化學沉積并去除所述第一種子層，形成所述初始錨點；S5、對所述犧牲層和所述初始錨點利用拋光機及硅拋光液進行拋光處理，形成目標錨點，所述目標錨點的表面與所述犧牲層表面平齊；S6、在所述犧牲層表面電鍍上電極，使得所述上電極與所述目標錨點接觸，包括；S61、在所述犧牲層表面制備第二種子層；S62、在所述第二種子層表面進行上電極圖形化處理，形成上電極圖形區域，所述上電極圖形區域將所述錨點露出；S63、在所述上電極圖形區域上進行電化學沉積并去除所述第二種子層，形成所述上電極；S7、利用氟化氫刻蝕機，通過氫氟酸氣體對犧牲層進行釋放，形成MEMS開關的懸臂梁。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中北大學;南通高等研究院，其通訊地址為：030006 山西省太原市學院路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。