恭喜復(fù)旦大學(xué)孫正宗獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜復(fù)旦大學(xué)申請(qǐng)的專利一種快速生長(zhǎng)雙層石墨烯單晶的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115726033B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111011430.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C30B29/02;該發(fā)明授權(quán)一種快速生長(zhǎng)雙層石墨烯單晶的方法是由孫正宗;鞏鵬;唐燦設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-08-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種快速生長(zhǎng)雙層石墨烯單晶的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明提供了一種快速生長(zhǎng)雙層石墨烯單晶的方法,包括以下步驟:步驟1,把催化劑和拋光處理后的銅箔放入兩個(gè)石英舟并置于石英管內(nèi),石英管外部有加熱套和管式爐,將催化劑置于加熱套中心,銅箔置于管式爐中央,打開(kāi)連接石英管的真空泵,對(duì)加熱套和管式爐進(jìn)行升溫,直到壓強(qiáng)降低至預(yù)設(shè)壓強(qiáng);步驟2,在真空中對(duì)銅箔退火處理;步驟3,向石英管中通入氫氣和二氧化碳,并迅速調(diào)節(jié)壓力,在催化劑作用下反應(yīng)生成甲烷、一氧化碳和水,甲烷作為直接碳源,在含氧刻蝕性組分中在銅箔上生長(zhǎng)得到雙層石墨烯單晶;步驟4,將銅箔從管式爐中央移出,通入氫氣并在設(shè)定壓力中迅速降溫;步驟5,取出降溫至室溫的銅箔,并將銅箔上的雙層石墨烯單晶轉(zhuǎn)移到硅片上。
本發(fā)明授權(quán)一種快速生長(zhǎng)雙層石墨烯單晶的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種快速生長(zhǎng)雙層石墨烯單晶的方法,其特征在于,包括以下步驟:步驟1,把催化劑和拋光處理后的銅箔分別放入兩個(gè)石英舟中并置于石英管內(nèi),該石英管的外部分別設(shè)有加熱套和管式爐,將所述催化劑置于加熱套的中心位置,將所述銅箔置于所述管式爐的中央,打開(kāi)連接所述石英管內(nèi)部的真空泵,并對(duì)所述加熱套和所述管式爐進(jìn)行升溫,直到所述石英管內(nèi)的壓強(qiáng)降低至預(yù)設(shè)壓強(qiáng);步驟2,在真空的氛圍下,對(duì)所述銅箔進(jìn)行退火處理;步驟3,將二氧化碳作為碳源,氫氣作為還原氣,向所述石英管中通入氫氣和二氧化碳,并迅速調(diào)節(jié)壓力,所述二氧化碳和所述氫氣在所述催化劑作用下反應(yīng)生成甲烷、一氧化碳和水,所述甲烷作為直接碳源,在含氧刻蝕性組分中在所述銅箔上生長(zhǎng)得到雙層石墨烯單晶;步驟4,生長(zhǎng)結(jié)束后,將所述銅箔從所述管式爐的中央移出,只通入氫氣并在設(shè)定壓力的氛圍中迅速降溫;步驟5,取出降溫至室溫的所述銅箔,并將所述銅箔上的所述雙層石墨烯單晶轉(zhuǎn)移到硅片上,其中,所述含氧刻蝕性組分為二氧化碳、一氧化碳和水,所述含氧刻蝕性組分和所述甲烷的比例為1.2-1.3,所述催化劑為NiAl2O3,該催化劑的催化溫度為300℃,生長(zhǎng)溫度為1000℃-1055℃,所述步驟3中,氫氣的通入流量為200sccm,二氧化碳的通入流量為1.5sccm,調(diào)節(jié)壓力至1000Pa-1200Pa,所述雙層石墨烯單晶在所述銅箔上的生長(zhǎng)時(shí)長(zhǎng)為40min,所述步驟4中,氫氣流量為100sccm,設(shè)定壓力為100Pa。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人復(fù)旦大學(xué),其通訊地址為:200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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