買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜格芯新加坡私人有限公司申請的專利存儲器結構以及形成存儲器結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114447109B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111156738.3，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權存儲器結構以及形成存儲器結構的方法是由蔡新樹;孫永順;王藍翔;卓榮發;陳學深設計研發完成，并于2021-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本存儲器結構以及形成存儲器結構的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及存儲器結構以及形成存儲器結構的方法。提供了一種存儲器結構，包括：襯底；布置在襯底內的第一阱區、第二阱區和第三阱區，其中第一阱區和第三阱區可以具有第一導電類型，第二阱區可以具有不同于第一導電類型的第二導電類型，并且其中第二阱區可以橫向布置在第一阱區與第三阱區之間。該存儲器結構還包括布置在第二阱區上方的第一柵極結構和第二柵極結構。第一柵極結構可以在第三阱區上方延伸，第二柵極結構可以在第一阱區上方延伸。

本發明授權存儲器結構以及形成存儲器結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器結構，包括：襯底；布置在所述襯底內的第一阱區、第二阱區和第三阱區，其中所述第一阱區和所述第三阱區具有第一導電類型，所述第二阱區具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型，并且其中所述第二阱區橫向布置在所述第一阱區與所述第三阱區之間，其中所述第一阱區、所述第二阱區和所述第三阱區沿第一方向彼此橫向相鄰地布置；布置在所述第二阱區上方的第一柵極結構，其中所述第一柵極結構在所述第三阱區上方延伸；布置在所述第二阱區上方的第二柵極結構，其中所述第二柵極結構在所述第一阱區上方延伸，其中所述第一柵極結構和所述第二柵極結構在所述第二阱區上方沿基本垂直于所述第一方向的第二方向彼此橫向相鄰地布置；以及在所述第二阱區內沿所述第二方向彼此橫向相鄰地布置的第一導電區、第二導電區和第三導電區，其中所述第二導電區布置在所述第一導電區與所述第三導電區之間；以及其中所述第一柵極結構橫向布置在所述第一導電區與所述第二導電區之間，并且其中所述第二柵極結構橫向布置在所述第二導電區與所述第三導電區之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格芯新加坡私人有限公司，其通訊地址為：新加坡新加坡市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。