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龍圖騰網恭喜華中科技大學申請的專利電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005742B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111175914.8，技術領域涉及：H01L21/26；該發明授權電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復方法及裝置是由梁琳;張子揚設計研發完成，并于2021-10-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明提供了電子輻照下SiCMOSFET閾值電壓恢復方法及裝置，屬于SiCMOSFET的閾值電壓恢復領域，方法包括：將待恢復的SiCMOSFET裸芯片固定，且將待恢復的SiCMOSFET裸芯片的各電極引出；對待恢復的SiCMOSFET裸芯片進行若干次連續電子輻照；電子輻照后，測量待恢復的SiCMOSFET閾值電壓，當實際閾值電壓與健康閾值電壓相比較，若兩者相等，則停止對待恢復的SiCMOSFET裸芯片的電子輻照；否則，繼續對待恢復的SiCMOSFET裸芯片進行電子輻照；本發明實現了失效SiCMOSFET的回收再利用。

本發明授權電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種電子輻照下SiCMOSFET閾值電壓恢復方法，其特征在于，包括以下步驟：將待恢復的SiCMOSFET裸芯片固定，且將所述待恢復的SiCMOSFET裸芯片的各電極引出；對所述待恢復的SiCMOSFET裸芯片進行若干次連續電子輻照，且電子能量的選取保證電子能夠入射至待恢復SiCMOSFET裸芯片的柵氧化物中；在電子輻照后，將待恢復的SiCMOSFET漏極與柵極短接，測量實際閾值電壓，當所述實際閾值電壓與健康閾值電壓相比較，若兩者相等，則停止對所述待恢復的SiCMOSFET裸芯片的電子輻照；否則，繼續對所述待恢復的SiCMOSFET裸芯片進行電子輻照；其中，所述健康閾值電壓為SiCMOSFET芯片正常狀態下的閾值電壓；所述待恢復的SiCMOSFET未進行電子輻照之前的閾值電壓大于健康閾值電壓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。