恭喜三菱電機株式會社小西和也獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114447097B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111244415.X，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體裝置是由小西和也;西康一;新田哲也設計研發完成，并于2021-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了：目的在于提供能夠降低接通電壓的技術。半導體裝置具有：載流子積蓄層；作為上層多晶硅的上層有源部，其配置于沿著將載流子積蓄層貫通的溝槽的上部的內壁的第1絕緣膜之上，與柵極電極連接；以及下層多晶硅，其配置于沿著溝槽的下部的內壁的第2絕緣膜之上，在下層多晶硅與上層有源部之間配置有第3絕緣膜。上層有源部的下端與載流子積蓄層的下端相比位于下方。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其具有：半導體基板，其設置有發射極電極以及柵極電極；第1導電型的載流子積蓄層，其配置于所述半導體基板的上表面側；第2導電型的基極層，其配置于所述載流子積蓄層的所述上表面側；第1導電型的源極層，其配置于所述基極層的所述上表面側；作為上層多晶硅的上層有源部，其配置于沿著溝槽的上部的內壁的第1絕緣膜之上，與所述柵極電極連接，該溝槽將所述源極層、所述基極層以及所述載流子積蓄層貫通；以及下層多晶硅，其配置于沿著所述溝槽的下部的內壁的第2絕緣膜之上，在所述下層多晶硅與所述上層有源部之間配置有第3絕緣膜，所述下層多晶硅是與所述發射極電極連接的下層啞部、與所述柵極電極連接的下層有源部以及電浮置的下層浮置部的任一者，所述上層有源部的下端與所述載流子積蓄層的下端相比位于下方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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