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龍圖騰網恭喜美滿芯盛(杭州)微電子有限公司申請的專利一種基于MEMS硅基加熱片的霧化芯結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113940459B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111245466.4，技術領域涉及：A24F40/46；該發明授權一種基于MEMS硅基加熱片的霧化芯結構及其制造方法是由李文翔;王敏銳設計研發完成，并于2021-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于MEMS硅基加熱片的霧化芯結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于MEMS硅基加熱片的霧化芯結構，包括：硅基加熱片和多孔陶瓷芯，硅基加熱片包括加熱絲和硅基襯底，加熱絲制作在硅基襯底表面，硅基襯底上設置有陣列排布的霧化微孔，硅基襯底固定安裝在多孔陶瓷芯上，霧化微孔連通多孔陶瓷芯。本發明還公開了一種基于MEMS硅基加熱片的霧化芯結構的制造方法。本發明相較于現有技術，避免霧化芯漏液，降低加工難度，提高良品率，增加霧化芯霧化加熱面積，提高溫度均勻性，增大發霧量，減少干燒。

本發明授權一種基于MEMS硅基加熱片的霧化芯結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種基于MEMS硅基加熱片的霧化芯結構的制造方法，其特征在于，霧化芯結構包括：硅基加熱片1和多孔陶瓷芯2，所述硅基加熱片1包括加熱絲11和硅基襯底12，所述加熱絲11制作在所述硅基襯底12表面，所述硅基襯底12上設置有陣列排布的霧化微孔121，所述硅基襯底12固定安裝在所述多孔陶瓷芯2上，所述霧化微孔121連通所述多孔陶瓷芯2；霧化芯結構的制造方法，包括以下步驟：S1、準備硅基襯底12；S2、在所述硅基襯底12上沉積金屬，并通過干法蝕刻或濕法腐蝕工藝做出特定圖形，形成加熱絲11；S3、在所述硅基襯底12上蝕刻霧化微孔121；S4、對所述硅基襯底12背面進行減薄，漏出正面所述霧化微孔121，形成硅基加熱片1；S5、將所述硅基加熱片1和多孔陶瓷芯2貼合，形成霧化芯；在所述步驟S5中，所述硅基加熱片1和所述多孔陶瓷芯2直接貼合或者通過玻璃漿料粘結工藝、金屬共晶工藝貼合；硅基加熱片1和多孔陶瓷芯2之間加高溫墊，高溫墊包括棉質材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美滿芯盛(杭州)微電子有限公司，其通訊地址為：311231 浙江省杭州市蕭山區經濟技術開發區橋南春暉路1號-8(自主分割)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。