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龍圖騰網恭喜中國電子科技集團公司第二十四研究所申請的專利用于高可靠薄膜混合集成電路的陶瓷薄膜基板及制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121773B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111495125.2，技術領域涉及：H01L21/70；該發明授權用于高可靠薄膜混合集成電路的陶瓷薄膜基板及制作方法是由葉冬;沈小剛;羅馳;練東設計研發完成，并于2021-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于高可靠薄膜混合集成電路的陶瓷薄膜基板及制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于高可靠薄膜混合集成電路的陶瓷薄膜基板及制作方法，包括在基板上依次形成薄膜電阻層、阻擋層和薄金籽晶層；在薄金籽晶層上形成金導帶；去除薄金籽晶層；在待鍍鎳區域形成鎳層；在焊盤區域的鎳層上履蓋焊盤金層；形成薄膜電阻網絡；形成鎳鈍化層。本發明中，在氧化鋁陶瓷基板上采用磁控濺射、光刻技術、微電子電鍍工藝、去膠、腐蝕技術和熱處理工藝技術，分別形成金導帶、鎳鉻硅薄膜電阻網絡，并在金導帶上疊加鎳金燒焊焊盤及阻焊層，制作的薄膜基板金層厚度厚、線寬精度高、臺階形貌陡直，可以滿足高精度、高頻和高可靠應用要求；基板結構兼容標準微組裝工藝，可廣泛應用于薄膜混合集成電路領域。

本發明授權用于高可靠薄膜混合集成電路的陶瓷薄膜基板及制作方法在權利要求書中公布了：1.一種用于高可靠薄膜混合集成電路的陶瓷薄膜基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：取一基板，并對基板進行清洗；在基板上依次形成薄膜電阻層、阻擋層和薄金籽晶層；在薄金籽晶層上形成金導帶；去除基板表面裸露的薄金籽晶層，露出阻擋層；所述裸露的薄金籽晶層為未覆蓋金導帶的薄金籽晶層；在待鍍鎳區域形成履蓋金導帶的上端面、以及包裹該區域的金導帶側壁的鎳層；所述待鍍鎳區域包括在預先確定的焊盤區域下方的金導帶所在區域、以及在該金導帶所在區域的基礎上向四周無金導帶的方向延伸5.0μm～7.5μm和沿連接的金導帶延伸200μm～250μm形成的延伸區域；在焊盤區域的鎳層上履蓋焊盤金層，形成鎳薄金焊盤；所述焊盤金層的尺寸小于其下方的金導帶的尺寸；去除薄膜電阻層上的裸露部分的阻擋層；所述裸露部分的阻擋層為未覆蓋金導帶和鎳層的阻擋層；去除基板上裸露部分的薄膜電阻層，露出基板，形成薄膜電阻網絡；本步驟包括：采用第四光刻膠光刻出薄膜電阻區域的圖形；通過對第四光刻膠曝光和顯影露出薄膜電阻區域以外的薄膜電阻層，形成薄膜電阻網絡；采用濕法腐蝕去除基板上裸露部分的薄膜電阻層，露出基板，所述裸露部分的薄膜電阻層為未覆蓋第四光刻膠和阻擋層的薄膜電阻層；去除基板上的第四光刻膠；對基板進行熱處理，在裸露部分的鎳層上形成鎳鈍化層，所述裸露部分的鎳層為表面未覆蓋焊盤金層的鎳層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第二十四研究所，其通訊地址為：400060 重慶市南岸區南坪花園路14號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。